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采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2μm,一致性良好。研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物。结果表明,纯锡凸点回流时与Ni-P生成针状Ni3Sn4,凸点剪切强度达到92MPa以上。剪切断裂为韧性断裂,随着回流温度提高及回流时间延长,Ni3Sn4相由针状向块状转变,Ni-P层与Ni3Sn4层间生成层状Ni3P相,粗化的Ni3Sn4相受压应力向焊球内部脱落。 相似文献
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氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。 相似文献
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3-DMCM实用化的进展 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了 3- D MCM的四种封装模式的应用实例 ,详细讨论了各种模式的工艺 ,优点及存在的问题。 3-D MCM是未来微电子封装的发展趋势。 相似文献
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多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八 相似文献
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基于碳纳米管-聚苯胺纳米复合物的超级电容器研究 总被引:10,自引:2,他引:8
为了提高碳纳米管的比容, 采用化学原位聚合的方法在碳纳米管的表面包覆聚苯胺, 制备碳纳米管-聚苯胺纳米复合物. 运用TEM和IR对样品进行了表征. 通过循环伏安研究样品的电化学特性. 利用恒流充放电考察基于碳纳米管-聚苯胺复合物超级电容器的性能. 在相同实验条件下, 对碳纳米管进行了比较分析. 实验结果表明, 在电流密度为10 mA/cm2时, 碳纳米管和碳纳米管-聚苯胺复合物的比容分别为52和201 F/g. 基于碳纳米管-聚苯胺纳米复合物的超级电容器的能量密度达到6.97 Wh/kg, 并且具有良好的功率特性. 相似文献
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