可见光PCW GaAlAs激光器

在众多的激光二极管结构中,我们选择Piano-Convcx Waveguide(PCW)结构进行可见光GaAlAs激光器的研制。采用成熟的液相外延系统(LPE),一步外延完成激光器所有层次的生长。激光器在约10mW范围内呈现较为稳定的基模工作状态,有些器件观察到单纵模。远场侧向发散角～18°。初步的老化试验结果:在550小时(截止本文定稿时),激光器闽值平均上升17%,最小值10%,老化试验条件:室温,充N_2,激光器单面光功率输出额定为5mW。     

键合材料对GaAs/GaAlAs双异质结激光器和发光管串联电阻和热阻的影响

本文就双异质结激光器和双异质结发光二极管的三种焊料(In、InSn、Ausn)对其器件的串联电阻(Rs)、热阻(RT)的影响作了初步的探索研究。从实验结果获得AuSn焊料所焊接的器件的串联电阻最低可降到0.25Ω·cm,一般平均值都在0.4Ω·cm左右,比Insn合金焊料所焊接的器件的串联电阻约低13.3%,比纯In所焊接的器件的串联电阻约低60%左右。而Insn的热阻约为46℃/w,比纯In焊料所焊接的器件的热阻约低三分之一。从降低半导体光电器件的串联电阻和热阻的大小以及器件的热稳定性和可靠性观点出发,预示AuSn合金材料将是一种有前途的GaAs光电器件的键合材料。另外,本文分析影响半导体光电器件的串联电阻和热阻的主要因素是:在进行键合时,环境气氛、焊接温度高低,时间长短以及键合材料的选择等有关。其次就是器件在键合过程中,由于工作条件不完善(如未进行氮气保护或不是在真空中焊接)而引起焊料的氧化以及形成金属间化合物等问题,只要妥善地解决了以上两个问题,对于半导体光电器件的焊接来说,将会得到理想的高可靠性的器件。     

电流限制性能好的双沟平面隐埋异质结激光器

本文报导新近研制的1.3μm InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结(DC-PBH)激光器,在室温下测量阈值电流的最小值为15mA,最大输出功率可大于40mW,外部微分量子效率(单面输出)为35％。器件的温度性能好,特征温度T_0为70～80K,最高连续工作温度可达100℃