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对辐射感应闭锁窗口现象的解释 总被引：1，自引：0，他引：1
中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时，出现了闭锁单窗口、多窗口现象。为了获得闭锁窗口的出现原因，借助对窗口现象的有关参考文献的研究，利用计算机电路模拟软件，分析了CMOS器件多个闭锁路径之间的相互作用。在此基础上，提出了解释窗口现象的“三径”闭锁模型。应指出的是，该闭锁模型还需要试验上的进一步验证与支持。 相似文献
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基于低温(～4K)光致发光谱对工艺及测量条件的依赖关系,分析了MBEGaAs缺陷络合线系的结构和来源,给出了与Haynes规则相容的解释。 相似文献
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