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两点分辨的问题已进行过深入的研究,其中最著名的是Rayleigh和Sparrow判据.然而其通常仅适用于完全相干光或者完全非相干光两种极限状态,对于具有普遍性的部分相干光的情况却研究较少.本文设计了部分相干光照明圆孔成像系统,据此建立了两物点光强在像面分布数学模型,利用MATLAB对两物点像面光强分别在不同间距与任意相干度情况进行了模拟仿真,结果显示当两点间距一定,两物点分辨率随着两点光源间相干度的增加而减小,而当相干度一定时,两物点分辨率随着两点光源间距的增加而增加.本文同时采用像面间距与物面间距的比值以描述系统对两物点分辨能力,分析探讨了两物点恰能分辨,不能分辨,完全能分辨的三种情况,并给出任意相干度的圆孔成像系统一般分辨规律.同时设计了两物点在任意相干度的成像系统实验平台,实验结果表明两物点在此实验条件下间距为1.5 mm时恰能分辨,说明实验结果与理论模拟基本吻合. 相似文献
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在世界经济一体化进程不断加快的背景下,人们对电力系统运行可靠性的要求越来越高,与此同时,在人们越来越重视节能和追求可持续发展的过程中,不断在电力系统中应用新的能源来减少化石能源的消耗,含光伏电力系统就是在这种情况下产生并得到有效应用的.然而电力系统运行过程中,最重要的就是可靠性,只有较高的可靠性才能够保证人们的工作及生活顺利进行,在这种情况下,积极加强基于运行可靠性的含光伏电力系统优化调度探析具有重要意义. 相似文献
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为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电镜实验结果表明量子阱材料生长过程精度控制不够及AlGaAs与GaAs晶格不匹配是造成1#样品误差较大的主要原因。说明调节势垒高度可实现QWIP峰值波长微调的目的。 相似文献
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采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱材料,制备300 m300 m 台面,内电极压焊点面积为20 m20 m,外电极压焊点面积为80 m80 m 的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77 ~300 K 暗电流特性测试。结果显示,器件暗电流曲线呈现出正负偏压的不对称性。利用高分辨透射扫描电镜(HRTEM)获得样品纳米尺度横断面高分辨像,分析结果表明:样品横断面处存在不同程度的位错及不均匀性。说明样品内部穿透位错造成相位分离是引起量子阱光电性能变差的根本原因,不同生长次序中AlGaAs 与GaAs 界面的不对称性与掺杂元素的扩散现象加剧了暗电流曲线的不对称性。 相似文献
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偏振成像由于其能检测物体偏振信息并可有效抑制背景噪声信号而受到了广泛关注。以往对正弦振幅光栅成像的研究基本都是在完全相干、非相干、或部分相干照明条件下进行,而本文基于偏振相干统一理论,在部分相干照明条件下考虑了光的偏振态,设计了部分相干光照明正弦振幅光栅的偏振成像系统,据此系统得出其斯托克斯(Stokes)频域计算模型,提供了一种计算Stokes物像频域关系的方法,通过透射交叉系数来描述其偏振成像系统的频率响应,说明偏振成像系统是非线性的,对光栅像强度中直流分量、基频、二次谐波进行分析研究,给出一组归一化Stokes参数下部分相干光照射正弦振幅光栅像面强度图,并利用MATLAB绘制出几组不同物体照明相干间隔与成像系统衍射图样大小比率下的Stokes像强度图,扩展了正弦轨迹分析在偏振成像系统性能评估中的应用。 相似文献
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采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长 制备30~50 μm×300 μm台面, 外电极压焊点面积80 μm×80 μm,内电极压 焊点面积20 μm×20 μm的GaAs/AlGaAs量子阱样 品数件,峰值响应波长为8.5 μm,从理论和实验两方面分析探讨了测试样品光谱特性。用傅 里叶光谱仪 分别对其进行50 K液氦温度下光谱响应测试,实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.38 μm,8.42 μm,与理论峰值响应波长8.5 μm分别相差0.12 μm,0.08 μm,误差约为1.4%。两样品峰值响应波长实验值与理论值误差均小于2.0%,实验结果表明金 属有机物化学气相沉积法技术可满足量子阱红外材料生长工艺要求,探测器电极压焊点面积 大小与位置对器件光谱特性影响甚微,该误差主要由测试系统引起的,利用高分辨透射扫描 电镜(HRTEM)对样品的微观结构进行剖析研究,说明虽然样品存在不同程度位错现象,但 由GaAs与AlGaAs晶格间不匹配带来的应力应变对器件宏观光谱响应特性影响不明显。 相似文献
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由于我行Oracle数据库的复杂性和以前建设仓促等原因,数据利用率、安全性不高,而且不能很好地满足业务需要,于是我们决定重新搭建分行数据仓库,采用新的平台进行建设。 相似文献
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采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长 了两种不同结构参数的GaAs/Al0.3Ga0.7As红外量子阱材料, 利用傅里叶光谱仪,分别对阱宽为4.5与5.0nm的样品进行77K液氮 温 度下光谱响应测试及室温光致发光(PL)光谱 测试,样品的峰值响应波长分别为8.39、7.69μm,与根据薛定谔方 程计算得到 的峰值波长8.92、8.05μm的误差分别为6.36%、4.70%。对吸收峰向高能方向发生漂移的现象进行了分析讨论,认为势阱变窄时阱中的 应 力作用较强是导致峰值波长红移的原因,而与GaAs阱中进行适度Si掺杂无关。PL实验结果与 理论计算相符合,表明增加阱宽是量子阱带间跃迁能量升高的原因。据此可实现对量子阱能 级的微调,从而满足对不同波长探测的需要。 相似文献
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