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1.
纳米MOSFET迁移率解析模型
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代月花
陈军宁
柯导明
孙家讹
胡媛
《物理学报》
2006,55(11):6090-6094
从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.
关键词
: 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场
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《中国新通信》
2009,11(21):10-13
SIGTRAN是IETF提出的在IP网络上传输七号信令的协议簇,流控传输协议SCTP和适配层协议M3UA是该协议簇中的两个协议。主要介绍了SIGTRAN协议的应用背景,组成结构,SCTP和M3UA协议的特点,并针对SIGTRAN在短消息系统组网中的应用进行分析和讨论。
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纳米晶非挥发性存储器研究进展
管伟华
刘明
龙世兵
李志刚
刘琦
胡媛
贾锐
《微纳电子技术》
2007,44(5):225-230
介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。
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郭战平
胡媛
《世界宽带网络》
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2003年11月1日.由山东电视台主办的《收藏天下》付费电视频道面向全国开播这一以收藏与艺术鉴赏为内容指向的专业频道正在逐渐地受到众多的专业人士和广大收藏爱好者的认可和喜爱;在此我们试图结合《收藏天
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让购票成为一种享受
胡媛
《电子科技导报》
2002,3(6):38-39
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