激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响

该文分析了激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响,获得了对CrSi薄膜电阻进行激光修调的优化方法.实验结果表明,150 ℃储存48 h,可完全消除激光修调带来的影响,使CrSi薄膜电阻温度系数降到了20×10-6/℃,提高了CrSi薄膜电阻网络的稳定性,从而为研制高性能模拟集成电路打下坚实的基础.     

半导体桥多晶硅工艺优化

针对多晶硅淀积工艺对半导体桥性能影响严重的问题,开展多晶硅工艺优化实验,获得多晶硅淀积工艺优化条件,多晶硅半导体桥电阻稳定控制在1±0.07 Ω范围内,达到多晶硅桥的应用要求.     

军品用塑封器件质量控制研究

塑封器件具有体积小、重量轻、易购买等优点,不可避免地被军工领域所采用。为保证军工产品质量,应针对塑封器件结构特点、主要失效机理及其质量现状,从采购渠道、入厂检验、贮存环境以及使用环节等方面入手,把控塑封器件的质量。