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1.
完美涡旋光场模式的单一性难以满足其在多种领域的应用需求。为解决该问题,提出了一种同心矢量完美涡旋模式,其光强分布为一族同心的矢量完美涡旋,各环矢量完美涡旋的性质得到了验证。研究发现,每个完美涡旋的光环大小、偏振阶数等特征参数相互独立。对同心矢量完美涡旋模式光环叠加的实验表明,与标量完美涡旋光束叠加不同,矢量叠加产生的子涡旋会在特定位置消失,原因是两光环在该位置偏振正交。该研究极大地丰富了完美涡旋的模式分布,拓宽了完美涡旋在微操纵、光通信等领域的潜在应用。  相似文献   
2.
为改善OLED器件的载子注入平衡,本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中,分别引入高电子迁移率材料Bphen及Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变Bphen的厚度以及Bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度,研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明,采用Bphen或者Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,均能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能。相比于未引入Bphen的器件,采用25nm的Bphen作为电子传输层,改善了器件的电子注入,使器件的最大电流效率提高112%;采用体积掺杂浓度为15%,厚度为5nm的Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,减小了电子注入势垒,使器件的最大电流效率提高27%,并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于OLED器件的阴极修饰,对器件性能的提升将起到一定的促进作用。  相似文献   
3.
脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响   总被引:2,自引:1,他引:2  
朱杰  谢康  张辉  胡俊涛  张鹏翔 《中国激光》2008,35(9):1384-1387
采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过垦10%的两种靶材.并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550~750℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含最对薄膜生长取向的影响.利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌.XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜牛长从550 C近似c轴取向逐渐过渡到750℃近似a轴取向,而在铅过量情况下薄膜生长取向无明显过渡性变化;AFM测量表明PZT薄膜在近似C轴和a轴生长情况下,表面均方根(RMS)粗糙度分别为16.9 nm和13.7 nm,而在混合生长无择优取向的情况下,薄膜表面均方根粗糙度达到68 nm,这可能是两种取向竞争生长的结果.  相似文献   
4.
In this paper, p-chlorophenylacetic acid and p-fluorophenylacetic acid were applied to modify the indium tin oxide (ITO) electrodes. The surface work functions of unmodified ITO, p-chlorophenylacetic acid modified ITO (Cl-ITO) and p-fluorophenylacetic acid modified ITO (F-ITO) are 5.0 eV, 5.26 eV and 5.14 eV, respectively, and the water contact angles are 7.3°, 59.1° and 46.5°, respectively. The increase of the work function makes the hole injection ability of the devices improved, which is proved by the hole transport devices. The self-assembly (SAM) layers transfer hydrophilic ITO to hydrophobic ITO, which makes ITO more compatible with the hydrophobic organic layers, making the organic film more stable during the operation. After modification, the organic light emitting diodes (OLEDs), SAM-modified ITO/NPB/Alq3/LiF/Al, with better performance and stability were fabricated. Especially, the OLED with Cl-ITO (Cl-OLED) has a maximum luminance of 22 428 cd/m2 (improved by 32.9%) and a half-lifetime of 46 h. Our results suggest that employing organic acids to modify ITO surface can enhance the stability and the luminescent properties of OLED devices.  相似文献   
5.
水浴法制备形貌可控的一维ZnO纳米和微米棒   总被引:3,自引:2,他引:1  
用一步或两步简单的化学溶液法,以醋酸锌为原料,六亚甲基四胺或三乙醇胺为催化剂在玻璃衬底上生长出不同形貌的纳米和微米ZnO棒.探讨了反应液的酸碱度和反应液浓度对生成的ZnO棒形貌的影响,并分析了其生长机制.随着溶液浓度的增加,棒的长度与直径比减小,同时玻璃衬底上生长的ZnO棒从无序分布趋于垂直于衬底平行取向分布.随着pH值的改变,棒的形状由在弱酸性溶液中的细长棒状变为在弱碱性溶液中的圆头对称短棒;当碱性增大到一定程度时,可以生成颗粒状.通过控制一定的酸碱度和溶液浓度,可以得到规则的六角ZnO棒状阵列.测量了样品的XRD和扫描电镜像,并对其发光性能进行了测量分析.其中规则有序六角棒的发光光谱表明峰值在530nm,半高宽为220nm,可能是Vo 的电子和价带中的空穴辐射复合所致.  相似文献   
6.
在航空航天等军用领域中,存在强光和电磁干扰等环境影响因素,为了使显示器能够在这种恶劣环境下稳定可靠工作,需要对显示器进行AR/EMI(减反射/电磁屏蔽)加固。本文通过对ITO电磁屏蔽层与AR(减反)膜系进行综合设计,并利用光学薄膜设计软件TFCalc对几种不同的结构进行了模拟仿真,结果使AR/EMI显示窗口在方块电阻为12Ω的同时可见光部分的平均反射率达到了0.73%,从而解决了显示终端的眩光效应,克服了环境光对操作者眼睛造成的不适,并增强了显示器的电磁屏蔽性能。  相似文献   
7.
以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。  相似文献   
8.
朱杰  张辉  张鹏翔  谢康  胡俊涛 《物理学报》2010,59(9):6417-6422
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在LaSrAlTaO3(LSATO),LaAlO3(LAO)和SrTiO3(STO)的单晶倾斜衬底上成功制备了Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT)薄膜,在三种倾斜衬底上生长的PZT薄膜中都首次发现了LIV效应.对PZT/LSATO薄膜在a,c轴两种不同取向择优生长下的LIV效应做了研究,发现在薄膜c轴取向择优生长 关键词: 激光感生电压效应 铁电薄膜 薄膜生长取向 原子层热电堆  相似文献   
9.
针对国家环境空气质量监测站(NAAQMS)由于体积大、成本高而不利于大面积广泛布点的问题,研制了一种微型空气质量监测系统,用于监测大气中CO、NO2、O3、SO2、PM2.5和PM10的浓度.该系统分别采用电化学气体传感器和光学粒子计数器来测量气体污染物和颗粒物浓度.考虑到传感器在测量污染物浓度时容易受到大气温湿度的影...  相似文献   
10.
利用激光对半无限大物体加热的一维热传导模型.分析La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)薄膜在KrF准分子激光照射下的温度变化.在纳秒级激光单次脉冲照射下,薄膜表面温度与照射时间的平方根成正比.并通过拟合La0.67Ca0.33MnO3薄膜在此激光照射下的感生电压响应信号,得到薄膜的时间常数为1.39μs.利用薄薄厚度与时间常数的关系,计算出薄膜的热扩散系数及热穿透深度,分别为4.5×10-8m2/s和71 nm.根据测量到的脉冲响应信号的时间常数,将激光感生电压公式中薄膜厚度与热扩散系数参量简化,得到一种求各向异性泽贝克(Seeback)系数的方法,计算出La0.67Ca0.33MnO3的各向异性泽贝克系数为2.80μV/K.  相似文献   
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