复合CrCO-Ti保护薄膜的热稳定性研究

用非平衡脉冲直流磁控溅射技术制备出了复合CrCO-Ti和CrCO保护薄膜,在氮气气氛条件下,研究了这些薄膜的结构、粘合力、耐磨性等随退火温度的变化规律和掺Ti对其性能的影响.得出结论:沉积的薄膜是非晶态薄膜,这些薄膜的耐磨能力达到10-8mm3/Nm;掺Ti能增强薄膜的柔韧性和负载能力,但在400℃及以上退火条件下,薄膜的结构、粘合力、耐磨能力等开始变化,而OEM为40%的复合CrCO-Ti薄膜具有较好的热稳定性.     

Structural, morphological and magnetic properties of Zn1-xCoxO prepared by sol-gel and hydrothermal method combined

Cobalt-doped ZnO powder samples were prepared by sol-gel and hydrothermal method combined. The prepared powder samples were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), electron paramagnetic resonance (EPR) and vibrating sample magnetometry (VSM). XRD patterns show that all the samples have a single pure phase with wurtzite structure suggesting that Co²⁺ occupied Zn²⁺ sites in the ZnO crystal lattice. SEM images show that crystal grains of cobalt-doped ZnO are hexagonal cone or spheroidal. EPR pattern shows that all of the samples possess oxygen vacancy. Measurement of magnetism indicates that all the samples exhibit room temperature ferromagnetism (RTFM) embedded in a dominant diamagnetic or paramagnetic signal. The dominant signal turns from diamagnetic to paramagnetic with the increase of Co concentration. The magnetic behavior can attribute to defects and Co doping.     

相变存储单元RESET多值存储过程的数值仿真研究

使用数值仿真方法对相变随机存储器存储单元的RESET操作的多值存储过程进行了研究,建立了三维存储单元模型,用有限元法解Laplace方程及热传导方程以模拟电脉冲作用下的存储单元物性变化过程.计算出单元内相变层的相态分布及单元整体电阻,分析了单元内部尺寸变化对多值存储过程及状态的影响.结果表明,通过精确控制输入电脉冲,相变存储单元能够实现4值存储;多值存储状态受单元内相变层厚度及下电极接触尺寸变化的影响较大;存储状态在80℃的环境温度下均可保持10年以上不失效.     

高介电材料CaCu3Ti4O12光电子能谱研究

采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)高介电陶瓷材料,X-射线衍射的结果表明,制备的样品为体心立方结构,晶格常数a=0.737 8 nm。光电子能谱研究结果显示,在CCTO样品中出现了Cu3 和Ti3 ,O1s芯能级谱出现双峰特征。     

铷蓝青铜及其钨掺杂样品的非线性电输运性质

用电解还原法生长出单晶晶体结构的铷蓝青铜及其系列钨掺杂样品,通过研究其电输运特性发现,纯样品及掺杂样品的电输运都呈相似的非线性特性,分别来源于阈值场以上电荷密度波滑移电导和杂质周围畸变引起的载流子的集体效应。     

除法式磁光盘信号检测方法的研究

研究了除法式磁光信号检测的原理和方法 ,分析表明 ,该检测方式不受激光功率的波动和盘片反射率变化的影响 ,提高了数据读出的准确性 .实验结果显示除法式检测方式比差动式磁光信号检测更适合静态实验的要求 .     

磁电复合薄膜用高性能压电陶瓷靶材的制备

采用固相法制备了高性能的Pb(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷靶材。通过调整Sr掺杂比例,获得高性能的压电陶瓷配方,以高性能锆钛酸铅(PZT)粉体为原料,经冷等静压和高温烧结制备出磁控溅射需要的、直径为73.6mm的压电陶瓷靶材。