Bi_2O_3掺杂对Ag(Nb_(0.8)Ta_(0.2))O_3陶瓷结构和介电性能的影响(英文)

本文研究了Bi2O3掺杂对Ag(Nb0.8Ta0.2)O3陶瓷的结构和介电性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,Bi2O3的掺杂可以使陶瓷中Ag+被还原并析出,且银析出的量随Bi2O3掺杂量的增加而不断增加,这可能源自于Bi3+对Ag+的取代。在一定范围内增大Bi2O3掺杂量可提高Ag(Nb0.8Ta0.2)O3陶瓷的室温介电常数,降低介电损耗,并使温度系数向负值方向移动。当Bi2O3的掺杂量约为3.5wt%时,样品具有较大的介电常数(ε=672)和较小的介电损耗(tanδ=7.3×10-4)。     

一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计

为了减轻辐射环境中静态随机存储器（SRAM）受单粒子翻转（SEU）的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90nm工艺,设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器。该SRAM基于双互锁存储单元（DICE）结构,以同步逻辑实现并具有1KB（1K×8b）的容量,每根位线上有128个标准存储单元,同时具有抗SEU特性,提高并保持了SRAM在亚阈值状态下的低功耗以及工作的稳定性。介绍了这种SRAM存储单元的电路设计及其功能仿真,当电源电压VDD为0.3V时,该SRAM工作频率最大可达到2.7MHz,此时功耗仅为0.35μW;而当VDD为1V时,最大工作频率为58.2MHz,功耗为83.22μW。     

高精度高比容独石电容器用瓷料研究及其介电常数的计算

首先利用蒙特卡罗有限元法在分析陶瓷材料内电场分布的基础上 ,对微粒混合陶瓷材料的介电常数与各成分含量及其介电常数之间的关系进行了探讨。研究表明 ,由于介质极化的原因 ,在陶瓷材料内部 ,等势线的分布将主要集中于低介电常数成分所占的区域 ,并且 ,微粒混合陶瓷材料各成分的含量及其介电常数都会对陶瓷材料内电场的分布产生重要影响 ,并使陶瓷材料的宏观介电常数发生变化。当陶瓷材料中含有与其他成分介电常数差别相当大的成分时 ,利用蒙特卡罗有限元法可获得较其他传统方法更为准确的结果系统地研究了钡钛钕系统陶瓷的介电性能。研究结果表明 ,Ba Ti O3中掺入极少量的 Nd2 O3(例如摩尔分数 x为 0 .1% )时 ,材料呈半导性 ,电阻率呈明显的 PTCR效应。Ba Ti O3中掺入少量的 Nd2 O3(x≥ 0 .2 % )时 ,材料呈绝缘性 ,且随着 Nd2 O3掺入量的增加 ,材料的平均晶粒尺寸不断减小 ,居里峰向负温方向移动 ,居里峰不断降低。Ba Ti O3中掺入少量 Nd2 O3· 2 Ti O2时 ,随着掺入量的增加 ,居里峰向负温方向移动 ,晶粒尺寸不断增大 ;Ba Ti O3中掺入较多的 Nd2 O3· 2 Ti O2 时 ,随着掺入量的增加 ,介电常数不断减小 ,介电常数的温度特性曲线的非线性程度不断减小 ,并且 ,当 Ba Ti O3与 Nd2 O3· 2 Ti O2 的摩尔比?     

钽铌酸银钠陶瓷粉体的液相合成

对液相法合成钽铌酸银钠的纳米粉体进行了研究。实验表明 ,利用自制 Nb5+和 Ta5+柠檬酸盐溶液 ,在一定条件下成功地制备出具有单一物相的钽铌酸银钠粉体。该粉体颗粒细小均匀 ,颗粒尺寸为在 30～ 4 0 nm。以此粉体制备的陶瓷介质具有优良的介电性能 ,1MHz下介电常数高达 5 2 0 ,介电损耗约为 9.0× 10 - 4。     

ALA-PDT破坏K562和HL60白血病细胞实验条件选择的研究

目的研究在5 -氨基乙酰丙酸( 5 -aminolaevulinicacid ,ALA)介导的光动力疗法(PDT)灭活K5 62和HL60白血病细胞株的实验中,光敏剂的浓度、暗室孵育时间、光源波长及ALA -PDT后继续培养对细胞存活率的影响。方法用不同浓度( 0 .5、1、1.5、2mmol/L)的ALA避光孵育细胞不同时间( 1、2、4、6、12h) ,给予不同波长( 4 10、5 77nm)光源照射后,即刻处理或继续培养,采用MTT法检测细胞存活率。结果ALA 光照能对白血病细胞产生灭活作用。细胞存活率随ALA浓度的增加而降低,在细胞密度为2×10 5个/ml,ALA浓度2mmol/L ,暗室孵育4h细胞存活率最低,光源波长为410nm时细胞存活率低于偏离此波长时的存活率。PDT后2 4hK5 62细胞的存活率较PDT后即刻的升高,而HL60则进一步降低,ALA -PDT对正常外周血单个核细胞及外周血干细胞存活率影响不大。结论ALA -PDT能够灭活K5 62和HL60白血病细胞。较理想的实验条件是2mmol/LALA避光孵育2×10 5/ml细胞,4h、光源波长410nm ,PDT后2 4h。在此条件下,K5 62细胞对PDT的反应不如HL60细胞敏感,对PBMC无灭活作用,对外周血造血干细胞影响较小。     

纳米ZnFe2O4的制备及研究

以Fe2(SO4)3、ZnSO4·7H2O为主要原料通过水热合成法制得了纳米ZnFe2O4超细粉末,利用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、红外光谱(IR)和VBH-55样品磁强计(VSM)等手段对样品进行了表征,结果表明水热法制备的纳米ZnFe2O4颗粒,大小均匀(7～10 nm),无团聚;磁性能测试表明该纳米ZnFe2O4具有亚铁磁性,并对其机理进行了探讨.     

分层结构的复合电极在超级电容器中的研究进展

超级电容器的出现为储能带来了新的选择,目前广泛应用于能源交通、航空航天、电子科技等领域,大大提高了科技发展水平和人民生活质量.为进一步提高超级电容器的性能,制备具有分层结构的复合电极材料成为人们研究的重点.在复合电极材料中,处于基底和顶层材料之间的中间层材料应具有良好的结构,用于支撑复合电极整体的稳定性,而顶层材料应具...     

复合钙钛矿型介质陶瓷材料的研究进展

将复合钙钛矿型介质陶瓷材料分成铅系和无铅系两大类,分别讨论了它们的研究进展,结果表明:采用高活性原料及两步固相合成法、湿化学等方法制备铅系复合钙钛矿材料,可以有效抑制铅挥发及杂相的出现,得到单相钙钛矿相;无铅型复合钙钛矿材料性能主要由不同的A或B位离子复合决定,并通过采用湿化学方法得到改善。目前,纳米级钙钛矿陶瓷材料的制备和研究正引起越来越多人的兴趣。     

(Ag0.9Li0.1)(Nb1-yTay)O3纳米瓷粉的制备与表征

A series of (Ag_0.9Li_0.1)(Nb_1-yTa_y)O₃ ceramic powders were prepared by an aque-chemical method. The optimized calcination temperature, time and crystal lattice were studied by TG-DTA, IR, XRD and TEM. The results show that the optimized conditions were calcination of the precursor at 800 ℃ for 2 h. The ceramic powder thus prepared was rhombohedral with the average grain size of 48 nm.     

2.45 GHz有源标签接收机中的下变频混频器

设计了一种用于2.45 GHz有源标签接收机的低中频正交下变频混频器。改进了传统的吉尔伯特结构, 采用了共享跨导正交结构和电流注入技术, 以提高混频器的增益, 减小混频器的噪声。该混频器采用UMC 0.18 μm CMOS工艺设计。仿真结果表明, 该混频器在1.8 V电压下, 电流消耗为3.1 mA, 转换增益为17.18 dB, 输入1 dB压缩点Pin-1dB与输入3阶截点IIP3分别为-13.5 dBm, -3.23 dBm, 在2 MHz中频下的噪声系数为14 dB。