离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究

本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有５个发光峰分别位于１．５３６μｍ、１．５５４μｍ、１．５７０μｍ、１．５９８μｍ和１．６４０μｍ，其中１．５３６μｍ发光峰最强．结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于Ｔｄ对称中心的填隙铒Ｅｒ３＋离子．在Ｅｒ与Ｏ、Ｎ、Ｃ共掺样品应分别存在Ｅｒ－Ｏ、Ｅｒ－Ｎ和Ｅｒ－Ｃ发光中心，其对应的ＰＬ发光峰分别为１．５７０μｍ、１．５３６μｍ和１．６０８μｍ．