Photovoltaic Characteristics of a Naphthylamine Derivative

Organic photovoltaic （OPV） cells were fabricated via vacuum vapor deposition with {4-[2-（3-di-cyanomethylidene-5,5-dimethylcyclohexenyl）vinyl]phenyl}di（1-naphthyl）amine （DNP-2CN） as the electron donor, and fullerene （C60） as the electron acceptor. A thin film （10 nm） of tris（8-quinolinolato）aluminum （Alq3） was adopted as the buffer layer. A device based on this DNP-2CN exhibited an open circuit voltage （Voc） of 370 mV, a short-circuit current density （Jsc） of 0.61 mAocm 2, and a white-light power conversion efficiency （ η） of 0.09% （AM1.5, 75 mW.cm^- 2）.     

Janus 粒子在环境检测领域中的应用

Janus 粒子,也称为阴阳结构粒子或两面性非对称粒子,是指表面上具有两种或两种以上不同化学组成或性质的不对称粒子。目前,Janus 粒子因其独特的结构和功能已经逐渐成为生物医药、催化、材料以及防污等领域中的新型功能材料。在环境检测领域,Janus材料亦因其特殊的光学、磁学及电学性能,为提高检测灵敏度、选择性和稳定性等提供了新的研究方向。基于此,本文主要讨论了Janus材料在环境检测方面的特点、优势和相关应用。最后,本文基于本课题组的研究经验以及工作中所面临的问题,对本领域的发展和未来的研究方向提出了展望,以期对本领域的未来发展提供指导。     

有机硅反应活性中间体的研究——Ⅴ.环丙基苯基硅烯向烯烃的立体专一加成

本文报道2-环丙基-2-苯基六甲基三硅烷经光化学分解产生环丙基苯基硅烯(1)。1能与烯烃立体专一地进行加成,中间体硅杂环丙烷的醇解开环也是立体专一地顺式开环。     

COF结构中键合力损伤芯片Al层的研究

运用实验和有限元模拟相结合的方法，研究了非导电膜和金金共金工艺中键合力对芯片Al压焊块内应力分布的影响，并分析了样品的失效部位和失效原因．挠性基板上印制线宽度不同时键合力对芯片损伤情况的研究表明，小印制线宽度在相同单位面积键合力情况下对Al压焊块损伤较轻．讨论了印制线宽度对键合偏移容差的要求．     

萘胺衍生物的光电特性

本文通过真空蒸镀的方法，制备了以二(1-萘基){4-[2-(3-二腈基亚甲基-5,5-二甲基-1-环己烯基)乙烯基]苯基}胺（DNP-2CN）作为电子给体，富勒烯（C60）作为电子受体的有机光电池器件，并引入10 nm厚度的三（8-羟基喹啉）铝（Alq3）作为缓冲层。在模拟太阳光（AM1.5, 75 mW·cm-2）下，基于DNP-2CN制备的太阳能电池的开路电压为370 mV，短路电流密度为0.61 mA·cm-2,光电转换效率为0.09%。     

利用STM和CV方法测定有机发光材料的能带参数

利用扫描隧道显微镜/扫描隧道谱(STM/STS)的技术,研究了有机发光材料Alq₃、DPN-2CN和DNP-2CN的表面电子结构。将材料DPN-2CN和DNP-2CN的表面电子结构与Alq₃的表面电子结构进行对比,判定了DPN-2CN和DNP-2CN的最低空轨道(LUMO)能级。通过电化学循环伏安(CV)法,对DPN-2CN和DNP-2CN的LUMO能级和最高占有轨道(HOMO)能级进行了表征。两种测试方法所得到的LUMO能级参数基本一致。     

STUDIES ON ORGANOSILICON REACTIVE INTERMEDIATES (Ⅴ)~*——STEREOSPECIFIC ADDITION OF CYCLOPROPYLPHENYLSILYLENE TO OLEFINS

This paper reports that cyclopropylphenylsilylene (1) is obtained by photolysis of 2-cyclopropyl-2-phenylhexamethyl-trisilane. 1 added stereospecifically to cis-and trans2-butene gives the corresponding siliranes. Opening of the sillranes by methol also occurs in stereospecifically cis fashion.     

再布线圆片级封装板级跌落可靠性研究

再布线圆片级封装通过对芯片焊区的重新构造以及无源元件的集成可以进一步提升封装密度、降低封装成本。再布线圆片级封装器件广泛应用于便携式设备中,在实际的装载、运输和使用过程中抗冲击可靠性受到高度重视。按照JEDEC标准对再布线圆片级封装样品进行了板级跌落试验,首先分析了器件在基板上不同组装点位的可靠性差异;然后依次探讨了不同节距和焊球尺寸、再布线结构对器件可靠性的影响;最后,对失效样品进行剖面制样,采用数字光学显微进行形貌表征。在此基础上,结合有限元分析对再布线结构和铜凸块结构的圆片级封装的可靠性和失效机理进行深入地阐释。     

圆片级封装的板级跌落可靠性研究

圆片级封装(WLP)具有尺寸小、散热性能好、封测成本低等优点,广泛应用于便携式电子产品,其在跌落、碰撞等环境下的可靠性越来越受到重视。将WLP器件组装到PCB基板上,按照JEDEC电子产品板级跌落实验标准进行实验,研究了WLP元件引脚节距、焊球尺寸、PCB焊盘工艺等因素对样品可靠性的影响。对失效样品进行了切片制样,通过金相显微镜、能量色散X射线光谱(EDX)和扫描电子显微镜进行了分析,研究了WLP器件失效机理及其与器件焊球尺寸、节距之间的关系,讨论了底部填充料对WLP封装可靠性的改进作用。     

芯片叠层封装的失效分析和热应力模拟

通过高温高湿加速实验对双芯片叠层封装器件的失效进行了研究,观察到存在塑封料与上层芯片、BT基板与塑封料或贴片胶的界面分层和下层芯片裂纹等失效模式.结合有限元分析对器件内热应力分布进行了计算模拟,分析了芯片裂纹的失效机理,并从材料性能和器件结构角度讨论了改善叠层封装器件可靠性的方法.