空间公共品博弈中种群密度的影响

采用Monte Carlo数值模拟方法,对周期性边界条件下空间公共品博弈进行了研究,讨论了在学习和迁移两种策略的共同作用下,种群密度对空间分布和合作演化的影响.密度较低时,合作者与背叛者共存;随着密度的增大,合作者的比例增加;密度较高时,系统由共存态转变为纯粹的合作态;但密度足够高时,合作行为完全消失.并通过研究空间形貌,对这些不同的合作演化行为进行了分析.     

Impacts of test factors on heavy ion single event multiple-cell upsets in nanometer-scale SRAM

Single event multiple-cell upsets (MCU) increase sharply with the semiconductor devices scaling. The impacts of several test factors on heavy ion single event MCU in 65 nm SRAM are studied based on the buildup of MCU test data acquiring and processing technique, including the heavy ion LET, the tilt angle, the device orientation, the test pattern and the supply voltage; the MCU physical bitmaps are extracted correspondingly. The dependencies of parameters such as the MCU percentage, MCU mean and topological pattern on these factors are summarized and analyzed. This work is meaningful for developing a more reasonable single event test method and assessing the effectiveness of anti-MCU strategies on nanometer-scale devices.     

高压捕获翼构型亚跨超流动特性数值研究

为研究高压捕获翼布局在亚跨超条件下的流动特性, 选取圆锥?圆台机体组合捕获翼概念构型, 在马赫数0.3 ~ 3速域范围内, 选取典型状态点, 采用数值模拟在 0°攻角条件下进行了计算和分析. 结果表明, 在整个速域范围内, 由于机体与捕获翼在对称面附近的垂向距离最小, 因此二者之间的气动干扰最为明显, 且沿展向逐渐减弱. 同时, 随马赫数增大, 机体与捕获翼间的流场结构明显不同, 具体表现为: 当Ma<0.5时, 未出现流动分离现象, 当Ma>0.5时, 机体后段开始出现明显的流动分离, 由于捕获翼与机体形成先收缩后扩张的等效通道, 捕获翼下表面和机体上表面的压力均先减小后增大; 进入跨声速速域后, 在捕获翼的影响下, 流动分离更加明显, 机体与捕获翼之间开始出现激波, 并且与分离区相互作用, 同时出现激波串, 捕获翼下表面产生明显的压力波动现象, Ma=1.5时, 通道内激波位置基本到达机体尾部, 分离区基本消失; 当Ma>2以后, 整个流场呈现以激波为主导的结构形式, 捕获翼下表面和机体上表面的压力分布逐渐趋于平缓.      

工作状态下激光晶体内部温度分布实时的检测

针对半导体泵浦固体激光器(DPL)中激光晶体的温度分布问题,提出了一种在工作状态下对其进行实时监测的方法。该方法以基尔霍夫衍射原理为依据,通过对工作状态的激光器出射光斑进行实时检测,得到其光场分布,根据晶体折射率分布,对出射光斑光场分布的影响以及折射率变化与温度变化的关系,建立数学方程,推导并得到激光晶体内部的温度分布的解。该方法符合激光器实际工作情况。通过实例,验证该方法切实可行。     

浅谈输电线路工程电缆施工管理

本文重点分析了电缆输电线路相对于架空线路的优缺点,并根据其优缺点,对其在施工环节,所存在的质量管理,安全管理和技术管理等问题进行分析,为以后输电线路电缆施工人员提供一个经验参考。     

3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors

This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon-germanium heterojunction bipolar transistors （SiGe HBTs）. 3D damaged model of SiGe HBTs single-event effects （SEE） is built by TCAD simulation tools to research ions angled strike dependence. We select several different strike angles at variously typical ions strike positions. The charge collection mechanism for each terminal is identified based on analysis of the device structure and simulation results. Charge collection induced by angled strike ions presents a complex situation. Whether the location of device ions enters, as long as ions track through the sensitive volume, it will cause vast charge collection. The amount of charge collection of SiGe HBT is not only related to length of ions track in sensitive volume, but also influenced by STI and distance between ions track and electrodes. The simulation model is useful to research the practical applications of SiGe HBTs in space, and provides a theoretical basis for the further radiation hardening.     

复杂交通运输网络上的拥挤与效率问题研究

本文研究复杂交通运输网络上的拥挤与效率问题. 在无标度网络、随机网络以及小世界网络等不同拓扑结构中, 探讨了不同的能力分配方式和不同的OD (Origin-Destination) 交通需求分布对网络拥挤度和效率的影响. 随着平均交通需求的增加, 分析无标度网络、随机网络以及小世界网络从自由流状态到交通拥堵状态的变化规律. 为便于比较, 本文侧重研究网络拥挤度的倒数, 并将其定义为通畅度. 研究发现网络中的通畅度与效率之间存在线性相关关系, 并且不同网络中的线性比例系数 (或斜率)是不同的, 从而体现了不同网络具有不同的运输性能. 关键词： 复杂网络 拥挤 效率     

基于水杨酰腙配体的二丁基锡配合物的合成、晶体结构、热稳定性及与DNA相互作用

2-羰基丙酸水杨酰腙与二丁基氧化锡反应, 合成了二丁基锡2-羰基丙酸水杨酰腙配合物, 经元素分析、¹H NMR、¹³C NMR、IR、UV-Vis和X射线单晶衍射等技术手段表征分子结构, 结构分析表明, 该配合物晶体属四方晶系, 锡与配位原子形成变形五角双锥构型的双核有机锡配合物, 分子以Sn₂O₂四元环为中心对称。 热分析结果表明, 在空气氛下, 配合物在103 ℃以下可稳定存在; 研究了配合物在近生理条件下与DNA的相互作用, 用紫外光谱、荧光光谱法及粘度法研究了配合物与鲱鱼精DNA的相互作用, 结果表明, 配合物与鲱鱼精DNA作用方式为插入结合。     

Synergistic effects of total ionizing dose on single event upset sensitivity in static random access memory under proton irradiation

Nitrogen plasma passivation （NPP） on （111） germanium （Ge） was studied in terms of the interface trap density, roughness, and interfacial layer thickness using plasma-enhanced chemical vapor deposition （PECVD）. The results show that NPP not only reduces the interface states, but also improves the surface roughness of Ge, which is beneficial for suppressing the channel scattering at both low and high field regions of Ge MOSFETs. However, the interracial layer thickness is also increased by the NPP treatment, which will impact the equivalent oxide thickness （EOT） scaling and thus degrade the device performance gain from the improvement of the surface morphology and the interface passivation. To obtain better device performance of Ge MOSFETs, suppressing the interfacial layer regrowth as well as a trade-off with reducing the interface states and roughness should be considered carefully when using the NPP process.     

质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好。