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为了得到相变温度低且性能优越的智能窗光学材料,基于时域有限差分法模拟计算了不同结构的VO_2纳米周期点阵相变前后的光学特性,优选出最佳的VO_2纳米周期点阵结构.采用直流磁控溅射和后退火工艺在玻璃衬底上制备VO_2薄膜,再利用掩膜光刻的方法制备VO_2纳米周期点阵结构,测试其组分结构,反射和透过率曲线.结果表明,填充比为0.74的圆形纳米周期点阵的相变温度有效降低了约25℃,在波长为1700 nm处的透过率改变量达到39%,透过率整体高于VO_2薄膜,呈现出良好的相变光学特性,说明通过调控VO_2纳米周期点阵的结构可以有效提升材料的光学特性. 相似文献
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为了实现对3~5μm中红外光的完美吸收,仿真设计了一种基于W/VO2周期性纳米盘阵列的可调中红外宽频吸收器,利用时域有限差分法模拟计算了结构参数对吸收器性能的影响.在最佳结构参数条件下,吸收器表现出偏振无关和广角吸收的特性,在3.1~3.6μm范围内吸收率达99%以上,峰值吸收率为99.99%.低温时入射光的磁场被束缚在各单元VO2介质层的中心并得到完美吸收;高温时VO2发生相变表现为金属相,抑制吸收,高低温的吸收率差值可达78.8%.该吸收器有效弥补了传统吸收器吸收频带窄、吸收率不可调的缺陷,对中红外光电器件的应用有参考价值. 相似文献
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SDS及其与十二烷基三乙基溴化铵混合体系在矿化水中的表面活性 总被引:8,自引:1,他引:8
测定了十二烷基硫酸钠(SDS)、十二烷基三乙基溴化铵(DTEAB)单一体系及不同摩尔比的混合体系在矿化水溶液中的表面活性,并与在纯水和NaCl水溶液中的表面活性作了比较.所得结果表明:(1)阴离子表面活性剂SDS在含Ca^2 ,Mg^2 等的矿化水中有比在纯水和NaCl水溶液中更好的表面活性.这一方面是由于矿化水中的Ca^2 ,Mg^2 对负电胶团和表面吸附层的强烈电性作用,另一方面在大量Na^ 存在时,钠钙盐混合表面活性剂Krafft点提高不多;(2)SDS和DTEAB混合物在矿化水中具有很强的增效作用,其表面活性的变化规律与在纯水和NaCl水溶液中基本相同,表明阴阳离子表面活性剂混合体系具有优异的抗矿化水性能.这些结果可用阴、阳表面活性离子的电性作用解释. 相似文献
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对Airy光束的特性做进一步探讨, 一方面对无限宽Airy光束的重心问题给出新的理论说明, 另一方面着重对有限宽情形下的Airy光束的奇特性质进行探讨. 文中采用反证法给出无衍射的讨论, 同时结合数值模拟给出高斯函数及矩形函数限定下的有限宽Airy光束的场分布, 并由此得到其重心位置的轨迹: 重心位置是不变的, 不可能整体自由加速. 最终得到有限宽Airy光束既不可能在自由空间加速, 也不可能是无衍射光束.
关键词:
Airy光束
无衍射
自加速
数值模拟 相似文献
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本文首先对科技进步奖评审综合信息管理系统投票环节进行了说明,分析了高并发Web系统的主要发展特点;然后从软件系统应用、缓存、数据库优化等方面对高并发Web系统的设计和优化方案进行了分析和总结。 相似文献
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加油站的埋地油罐泄漏已是国际上环境污染防治领域面临的严重问题。加油站目前已成为美国地下水污染的最大污染源,截止2001年美国有超过44万个地下储油罐被确认发生渗漏[1]。地下水和土壤遭受有机污染物污染后难以清理和修复[2-3],许多有机物进入环境后对人体和生物具有致癌、致畸和致突变作用[4]。汽油添加剂甲基叔丁基醚(MTBE)已对地表水、地下水、土壤及大气等环境要素构成严重污染[5-6]。然而在国内,加油站渗漏引起的土壤、岩层和浅层地下水污染问题至今还尚未被充分 相似文献
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基于VO_2的热致相变特性,仿真设计出了一种W/VO_2方形纳米柱阵列可调中红外宽频吸收器,通过时域有限差分法分析了结构参数对吸收性能和结构内电磁场强度分布的影响,以及吸收器在不同偏振态和入射角度下的吸收特性。结果表明:在最佳的结构参数下,当VO_2未发生相变时,入射到吸收器的红外光转变为热而消耗掉,在3~5μm谱段的平均吸收率高达96.2%;当VO_2发生相变而转变为金属相时,吸收器表现出强反射,抑制吸收,高低温下的平均吸收率差可达74.1%。该吸收器的吸收率受入射光的影响较小,具有广角吸收特性,有望在红外智能光电领域得到应用。 相似文献
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电控磁效应调控二维(2D)反铁磁(AFM)材料的研究结合了电控磁效应与半导体工艺兼容且低能耗的优势, 2D材料范德瓦耳斯界面便于异质集成以及AFM材料无杂散场、抗外磁场干扰、内禀频率高的优势,成为领域内研究的重点.载流子浓度调控是电控磁效应的主要机制,已被证明是调控材料磁性能的有效途径.层内AFM材料的净磁矩为零,磁性调控测量存在挑战,故其电控磁效应研究尚少且潜在的机制尚不清楚.基于有机阳离子的多样性,本文利用有机阳离子插层系统地调控了2D层内AFM材料MPX3(M=Mn,Fe,Ni;X=S,Se)的载流子浓度,并研究了电子掺杂对其磁性能的影响.笔者在MP X3家族材料中发现了依赖载流子浓度变化的AFM-亚铁磁(FIM)/铁磁(FM)的转变,并结合理论计算揭示了其调控机制.本研究为2D磁性材料的载流子调控磁相变提供了新的见解,并为研究2D磁体的电子结构与磁性之间的强相关性以及设计新型自旋电子器件开辟了一条途径. 相似文献
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采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上制备VO2薄膜, 研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO2薄膜性能的影响, 对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、表面元素的相对含量和透过率随波长变化进行了测试分析, 结果表明在最佳工艺条件下制备得到了组分相对单一的VO2薄膜. 基于FTO/VO2/FTO结构在VO2薄膜两侧的透明导电膜上施加电压并达到阈值电压时, 观察到了明显的电流突变. 当接触面积为3 mm×3 mm时, 阈值电压为1.7 V, 阈值电压随接触面积的增大而增大. 与不加电压的情况相比, FTO/VO2/FTO结构在电压作用下高低温的红外透过率差值可达28%, 经反复施加电压, 该结构仍保持性能稳定, 具有较强的电致调控能力. 相似文献