In掩膜层超分辨光盘的读出研究

在超分辨光存储技术中,掩膜层材料是决定其性能优劣的关键。In薄膜可以作为掩膜层用来实现超分辨信息点的动态读出。采用直流磁控溅射法制备不同厚度的In薄膜,用台阶仪测量薄膜厚度随时间的变化关系,用原子力显微镜观察不同厚度薄膜样品的表面形貌。在预刻有尺寸为390nm信息点的光盘盘基上制备In薄膜,从而形成In掩膜超分辨光盘。利用光盘动态测试仪进行动态读出,最高读出载噪比(CNR)达到26dB。为了进一步分析超分辨动态读出的物理机理,采用变温椭圆偏振光谱仪测量In薄膜在不同温度下的光学常数,得到In薄膜在不同温度下的反射率和吸收系数。分析表明In掩膜超分辨光盘的读出机理符合孔径型超分辨读出模型。     

Novel phthalocyanine thin film for compact disc recordable

In this paper, the spin-coated thin films of phthalocyanine dye are presented. Absorption spectrum of the thin film shows a comparatively broad absorption in the wavelength range 630 - 770 nm. Optical parameters of the thin film were measured by a spectroscopic ellipsometer system. 5-in CD-R discs made of this dye exhibit good performance with Yamaha 20-speed recorder. Jitters of land and pit are less than 30 ns, and the 3T-11T's signals show very good quality. This dye is a promising recording medium for CD-R with much higher recording speed.     

PMMA光盘基片光致聚合反应复制法工艺研究

本文通过测量ＰＭＭＡ基片在光致聚合反应法复制过程中的形变和收缩应力，由此对其产生的机理作了一定的理论分析。通过在凝胶化后施加一定的压力能够减小形变和收缩应力。本文不仅描述了采用二阶段加压法工艺复制的ＣＤ唱片，还描述了用ＳＥＭ观察复制信息的微观形貌。     

光盘光固化复制工艺中玻璃基片表面改性

测定了光固化膜分别与玻璃基片、金属Ni-模的结合力.采用预涂PMMA底化层、使用α-型硅烷偶联剂和SOL-GEL法制备衬底三种方法对玻璃基片表面进行改性并作比较,来选择合理的、经济的工艺路线.运用此工艺复制了CD唱片,并用SEM观察复制信息的微观形貌.     

Si掺杂Ag基超分辨薄膜读出性能研究

超分辨薄膜是一种能够实现突破光学衍射极限的功能薄膜,它在超分辨近场光存储技术中起到至关重要的作用。采用磁控溅射共溅的方式制备了Ag掺杂一定量Si的超分辨复合薄膜,测试了其作为掩膜层的超分辨光盘读出性能,并获得了最佳的薄膜制备条件,即当Ag溅射功率为55 W,Si为95 W,溅射时间为80s,薄膜厚度为39nm时,超分辨光盘的读出信号载噪比(CNR)最高为28dB。用X射线光电子能谱测量了上述薄膜的组成,用扫描电子显微镜观察了薄膜微区形貌,并用椭圆偏振光谱仪测量了薄膜的光学常数和厚度。超分辨复合薄膜的读出机理可以用Ag的散射型机理解释。光盘在持续读出10万次以后读出信号基本没有下降。     

菁染料旋涂薄膜的短波长光存储性能研究

利用旋涂法 (spin coating)制备了一种新的菁染料薄膜 ,并进一步制备成可录型数字多用光盘 (DVD R) ,测试该菁染料溶液和薄膜的吸收光谱 ,薄膜的透过、反射光谱 ,用椭圆偏振光谱仪测试了薄膜光学常数n和k ,发现薄膜在 6 30～ 6 5 0nm波段内有良好的吸收和反射特性。在 6 32 8nm光盘动、静态测试装置和 6 5 0nm光盘性能测试仪上测试了以该染料薄膜为记录层介质的DVD R光盘 ,结果表明盘片具有良好的光存储性能。     

氧化物记录介质在光存储中的应用及其研究进展

系统总结了用于光存储记录层的氧化物薄膜的存储机理、存储特性以及最新进展,讨论了氧化物掺杂对提高存储性能的影响,指出了氧化物薄膜存在的不足,并探讨了可能的改善途径.在此基础上对存储材料的发展趋势及氧化物材料的研究前景进行了展望.     

用于蓝光(405nm)激光直写的聚乙烯醇/银纳米复合材料薄膜的制备

利用紫外光诱导还原金属前躯体硝酸银(AgNO3),直接在聚乙烯醇(PVA)薄膜中生长银纳米颗粒,成功制备出PVA/Ag纳米复合材料薄膜。利用紫外-可见吸收光谱分析了银离子浓度、紫外光辐照功率和辐照时间对薄膜光谱的影响趋势。通过优化硝酸银浓度、辐照条件来调节薄膜中银纳米颗粒的尺寸和空间分布密度,成功地将此复合薄膜的等离子共振吸收峰位调节为406nm,并用于蓝光(405nm)激光直写光刻。扫描电子显微镜(SEM)观察表明,该材料中纳米颗粒分布均匀,粒径分布较窄;X射线光电子谱(XPS)证实了合成的纳米颗粒为单质银;原子力显微镜(AFM)分析显示薄膜光刻后获得了表面清晰、光滑、规整的图形。     

偶氮金属镍薄膜的折射率和吸收特性研究

偶氮金属镍(Ni(azo)2)是一类具有很大潜力的可录光盘存储介质。为了准确地获取一种偶氮金属镍薄膜的光学常数，用旋涂法(Spin—coating)在单晶硅片上制备了Ni(azo)2薄膜。在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了Ni(azo)2薄膜的椭偏光谱。采用逼近算法获得了Ni(azo)2薄膜在可见光范围内的复折射率、复介电函数、吸收系数和薄膜厚度。分析了Ni(azo)2薄膜可见吸收光谱的形成机理。结果表明在波长650nm处薄膜的折射率为2．19，吸收常数为0．023，具有良好的吸收和反射特性，显示出作为高密度数字多用光盘(DVD-R)记录介质的良好应用前景。     

激光光刻技术的研究与发展

光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。