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提出了一种大电流16位稳态电流LED驱动器的ASIC设计方案,并描述了芯片的主要功能原理。对各个模块的主要电路进行了分析和设计,数字部分电路依靠成熟的FPGA平台验证,最大程度提高了电路可靠性;模拟部分电路通过分析和计算,确定不同参数,最后对整个方案进行了仿真。这种16位稳态电流LED驱动芯片可以完成对点阵LED显示屏的驱动,芯片外围电路简单、成本低、可靠性高。该芯片也适用于点阵LED屏等LED设备的驱动,应用十分广泛。芯片方案的各个部分都给出了详细的仿真结果,整个方案最后通过了T-Spice后仿真。 相似文献
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在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不受电源电压影响的基准电压。基于0.5 μm CMOS标准工艺实现,采用Spectre进行仿真,结果表明:该带隙基准源在室温下产生的基准电压为(1.256 9±0.000 32) V,在-35 ℃~125 ℃温度范围内的温漂系数为1.39×10-6/℃;当工作电压为1.8~4.6 V时,输出电压仅变化0.31 mV/V;3 V供电下的功耗为14.69 μW;满足胎压监测芯片的设计要求。 相似文献
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基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺,设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下,通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构,实现电路版图面积的最小化,从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压,且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别,该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器,有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出,芯片总面积仅为0.14 mm2,有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。 相似文献
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A new high-voltage LDMOS with folded drift region(FDR LDMOS) is proposed. The drift region is folded by introducing the interdigital oxide layer in the Si active layer, the result of which is that the effective length of the drift region is increased significantly. The breakdown characteristic has been improved by the shielding effect of the electric field from the holes accumulated in the surface of the device and the buried oxide layer. The numerical results indicate that the breakdown voltage of 700 V is obtained in the proposed device in comparison to 300 V of conventional LDMOS, while maintaining low on-resistance. 相似文献
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设计了一种用于125 kHz射频识别(RFID)标签芯片的射频模拟接口。通过在NMOSFET栅交叉型整流电路中加入过压保护电路,可在5 ms内将整流电压稳定在6.5 V,发送数据期间自动切断静态电流回路,解决了整流电路额外损耗能量的问题;数据收发采用接收幅移键控(ASK)信号、发送频移键控(FSK)信号的模式,提高了标签芯片的有效读写距离;为解决FSK频率不准导致的误码问题,在电路内部预留了调频(FM)端口,实现了芯片的FSK谐振频率精准可控。仿真结果表明,芯片完成一次读写操作供电电压下降50%,整体功耗342μW,可将数据1和0分别转换成频率为123.5 kHz和136.9 kHz的FSK信号。基于SMIC 0.35μm EEPROM工艺进行了流片验证,模拟电路版图面积为0.34 mm2,测试结果表明,芯片可解调125 kHz ASK载波信号,可将数据识别码准确无误地发送给读写器,最长读写距离为9 cm。其低功耗、远距离读写的特性非常适合用于植入式动物标签。 相似文献
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