胆甾相液晶的光学特性

基于胆甾相液晶的特殊分子结构，综合阐述了胆甾相液晶的旋光性、选择性光散射和偏振光二色性等光学特性，揭示了它的光学特性主要源于它螺旋状的分子结构及其光学各相异性。     

n型InP（100）衬底上电沉积氧化锌薄膜的制备及光致发光

采用电化学沉积方法在n型InP（100）（1016）衬底上制备了氧化锌薄膜。探索线性扫描伏安法确定InP与0．1mol／L Zn（NO3）2电解液的体系中沉积氧化锌的极化电势,在20℃溶液中,相对于甘汞电极（SCE）的极化电势为-1．1877V。扫描电镜照片显示：随着应用电势的降低,氧化锌薄膜变得紧密平滑;狭窄的X射线衍射峰也说明低电势下薄膜的结晶质量较好。光荧光表征发现低电势下制备的氧化锌薄膜具有良好的发光特性。     

n型InP(100)衬底上电沉积氧化锌薄膜的

采用电化学沉积方法在n型InP(100)(1016)衬底上制备了氧化锌薄膜。探索线性扫描伏安法确定InP与0.1mol/LZn(NO3)2电解液的体系中沉积氧化锌的极化电势,在20℃溶液中,相对于甘汞电极(SCE)的极化电势为-1.1877V。扫描电镜照片显示:随着应用电势的降低,氧化锌薄膜变得紧密平滑;狭窄的X射线衍射峰也说明低电势下薄膜的结晶质量较好。光荧光表征发现低电势下制备的氧化锌薄膜具有良好的发光特性。     

利用干涉光刻和双光子聚合技术制造带有功能缺陷的二维光子晶体

光子晶体是一种介电常数呈周期性变化的介质材料,它由介电常数不同的两种材料周期排列组成,因其周期性而产生了光子禁带,为了产生比较大的光子禁带宽度,这两种材料的介电常数比一般大于2,光子晶体可以使某一频段上的光波无法通过,继而达到滤波的目的.设计了在硅基底上制作六边形孔阵的二维光子晶体的方法,这个结构具有特殊的光学特性；经...     

纳米技术在太阳电池中的应用进展

综述了纳米技术在太阳电池中的应用及研究进展,包括染料敏化太阳电池(DSSC)、硅纳米太阳电池以及近年来成为研究热点的碳纳米管太阳电池等。分别针对二维硅纳米薄膜和一维硅纳米线在太阳电池中的应用,以及碳纳米管用于无机太阳电池、有机太阳电池和染料敏化太阳电池的研究进展进行了系统的阐述。通过分析发现,纳米技术的引入为传统太阳电池高成本和低光电转换率的瓶颈问题提供了很好的解决途径,并进一步提出利用纳米技术实现高效太阳电池转化效率的新思路。     

基于激光诱导向前转移技术的微纳结构制备研究现状

激光直写技术(LDW)是当前数字化微纳加工的主要技术之一,其中喷墨打印技术以其分辨率高和控制灵活等优点被广泛应用。随着功能化材料的不断出现和越来越多的应用需求,喷墨打印技术对墨汁的严格要求限制了它在某些领域的应用。激光诱导向前转移(LIFT)技术无须模板和喷嘴,打印分辨率高,且不受墨汁流变性质的限制。该技术的材料适用范围广,几乎可以打印各种固体和液体材料,已被广泛应用于电子器件、传感器以及再生医学的组织工程等相关领域。本文系统阐述了LIFT技术制备微纳结构的研究现状,并对LIFT技术的应用及其物理过程的研究进展进行了系统地归纳与总结,研究结果将对LIFT技术在微纳加工领域的进一步应用提供重要参考价值。     

AlGaN多量子阱342nm紫外激光二极管

发短波长的紫外光半导体激光二极管和光激发二极管的实现激起了人们对其在许多应用领域的关注和兴趣．如化学／生物化学分析、高密度数据存贮和材料加工。III族氮化物材料是制备这些器件的最理想的候选材料之一。本文介绍了一种AlGaN多量子阱激光二极管,其发射波长为342nm,这是迄今为止报道的最短波长的电驱动激光二极管。     

用于近场高速纳米光刻的飞行等离子体透镜

纳米尺度器件的商业化,要求开发高生产能力的纳米制备技术,该技术应满足经常对设计的器件进行改进的需要。电子束刻蚀技术和扫描探针刻蚀技术等无掩模纳米光刻技术给予了人们期望,但是,这些技术的低生产能力使其在大规模应用上受到了限制。本文报道了一种新颖低廉、生产高效的无掩模纳米光刻途径,该技术使用一个在组成图案的表面上飞行的等离子体透镜阵列,聚焦短波长表面等离子体〈100nm的光斑。然而,这些纳米尺度的光斑仅仅在近场形成,很难在表面上高速地对阵列进行扫描。为了克服这一难题．设计了自适应间隙的空气轴承装置,飞行阵列恰好距圆盘20nm,旋转速度为4～12m／s,实验显示的图案线宽为80nm。该廉价的纳米制备方案有望获得比其它无掩模技术高出2-5个数量级的产量。     

无铟激光二极管成功制备

Hamamatsu的研究人员报道了一种无In的激光二极管，工作波长在342nm，这是迄今为止波长最短的电驱动半导体激光二板管。