一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.     

圆片级封装的无铅焊料凸点制作技术研究

对圆片级封装（WLP）的结构设计和关键工艺技术进行了研究；描述了凸点UBM层的选择，凸点回流技术以及凸点的质量控制技术；重点阐述了采用电镀来制作无铅焊料凸点的方法。     

高可靠硅基MCM芯片凸点技术研究

介绍了采用芯片凸点和倒装焊技术(FCB)的MCM-Si工艺,重点研究了凸点下金属化(UBM)结构设计对电路可靠性的影响;通过再流焊和可靠性试验,以及凸点拉脱力测试,进行了可靠性评价.采用该工艺制作的电路已达到<混合集成电路通用规范>(GJB2438A-2002)靠性等级的H级.     

MEMS传感器的真空密封技术

文章介绍了MEMS传感器的几种真空密封方法，提出了一种真空密封方法的设想。     

晶圆级封装中的SnPb焊料凸点制作工艺

以晶圆级封装工艺技术(WLP)研究为基础,阐述了电化学淀积SnPb焊料凸点的工艺控制过程。采用电化学淀积方法,制备出150μm高(均匀性为±10μm)的SnPb焊料凸点。经扫描电镜分析,SnPb焊料凸点的成份含量(63/37)控制在5%范围之内。     

电化学制备金锡合金薄膜技术研究

共晶成分的金锡合金具有诸多优异性能,文章介绍了一种制备金锡合金的方法,采用该方法在陶瓷基体上面制备金锡薄膜焊料.对焊料的成分进行了检测,对焊料的焊接性能和焊接可靠性进行了测试.试验结果满足GJB548相关要求.     

芯片级封装技术研究

对刚性基板倒装式和晶圆再分布式两种结构的芯片级封装（CSP）进行了研究，描述了CSP的工艺流程；详细讨论了CSP的几项主要关键技术：结构设计技术，凸点制作技术，包封技术和测试技术；阐述了采用电镀和丝网漏印制备焊料凸点的方法。     

共晶烧结贴片氮气保护改进研究

军用陶瓷或金属封装中的共晶烧结芯片贴装工序存在的主要问题是,Sn基焊料极易氧化形成Sn₂O、SnO₂等氧化物,在共晶过程中不断堆积在焊料表面,形成焊料表面悬浮颗粒,造成PIND失效。文章基于氧化膜破裂理论,通过对当前使用的共晶烧结氮气保护的结构进行改进,采用小型半密闭腔体的方式实现了局部高纯度氮气保护环境。在共晶烧结贴片过程中,氧化膜破裂融入焊料体内,同时因氧化膜破裂而流出的熔融焊料在良好的氮气保护环境下形成新的光亮圆润的焊料表面,有效减少了焊料表面悬浮氧化物颗粒。统计数据表明,该改进研究有效降低了PIND失效率和成品筛选电路的成本损失;该改进实现了共晶烧结贴片焊料表面极少产生悬浮氧化物颗粒,极大地降低了可动颗粒导致的电路短路、断路等误动作的危害性和可靠性风险。     

基于MCM-Si及倒扣焊技术的产品可靠性研究

本文介绍了硅基薄膜基板、SnPb焊料凸点和凸点倒扣焊（FCB）等实用化工艺技术,探讨了MCM—Si高可靠性产品的关键工艺。重点对芯片凸点的UBM可靠性、凸点与硅基的倒扣焊接可靠性、芯片凸点拉脱力等对产品可靠性有重要影响的关键点进行了研究。