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本文介绍了一个应用于18位高端音频的ΣΔ模数转换器(ADC)。它包括一个2-1级联结构的ΣΔ调制器和一个数字抽取滤波器。在系统设计、电路实现和版图设计的过程中采取了许多优化措施,包括:选择了一个能够实现高过载水平的调制器结构并对其系数进行优化,实现了一个高能效的A/AB 类跨导放大器和一个面积和功耗优化的多级抽取滤波器。模数转换器在中芯国际0.18μm 混合信号CMOS 工艺中流片。测试结果表明在22.05 KHz带宽内,信噪失真比和动态范围分别达到91dB和94dB,而芯片面积为2.1 mm2,其中模拟部分仅消耗2.1mA静态电流。 相似文献
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用改进的Bridgman法,在加入助熔剂的条件下,生长出最大尺寸为φ30×25mm^3的铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶[0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3]。无宏观缺陷的晶片的典型尺寸为20×15mm^2。晶体的单晶性及其结构用X射线衍射法加以研究。所得晶体用Laue衍射法定向,取(001)晶片进行性能表征。研究了材料的介电性能,并用偏光显微镜观察了(001)晶片的电畴结构。结果表明,室温下材料的介电常数较大,为2500~5000。随着温度的升高,材料发生四方铁电相—立方顺电相的相变,相变温度为190℃左右。单晶的介电温谱呈现明显的频率色钐现象,同时,介电常数最大值的温度tm随着频率的升高而降低,观察到了电畴结构的不均匀与孪生现象。 相似文献
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铅基复合钙钛矿型弛豫铁电单晶体PMNT,PZNT的生长基元为多种[BO~6]配位八面体。这些同型生长基元受本身稳定性的制约而在熔体中存在的几率不同。相对于[MgO~6]^1^0^-,[ZnO~6]^1^0^-八面体基元来说,[NbO~6]^7^-,[TiO~6]^8^-是更为有利的八面体基元。在基元组装过程中,各种[BO~6]八面体基元在稳定性、尺寸大小与电价上的分异致使生长界面对基元有一定的选择性,从而造成了晶体生长时成分与结构的短程起伏,并为有序畴及其它化学缺陷团簇的形成提供了条件。当加入掺质PbTiO~3时,由于[TiO~6]^8^-与[NbO~6]^7^-两种基元在组装时的类聚性及[TiO~6]^8^-对晶体稳定性的贡献,晶体的微区成分与结构得以调制,焦发石相得以抑制,这构成了用Bridgman法能直接从熔体中生长出纯钙钛矿相PMNT单晶的基础。而[MgO~6]^1^0^-与[ZnO~6]^1^0^-八面体基元的差致使PMNT,PZNT两单晶的生长难度有别,这在选择合适的生长方法时需加以考虑。 相似文献
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本文用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了多型性晶体表面螺旋结构的形成,提出在多型性晶体中配位多面体呈层状分布,配位多面体的面为层的边界,上、下层负离子配位多面体不是呈镜象对称的,在三方晶系和六方晶系的晶体中是沿晶轴a、b错开,上、下两层负离子配位多面体体呈交叉对应,从而达到稳定平衡.晶轴c与负离子配位多面体高次对称轴平行,配位多面体往界面叠合是绕着c轴转动的,其叠合轨迹为螺旋或同心环结构.从多型性晶体螺旋结构的规律性可以看出,晶体生长基元为负离子配位多面体,由于负离子配位多面体的面与呈现螺旋结构的晶面平行,所以生长速率慢,是一个显露面积大的稳态面.螺旋结构只是在该面族上显露. 相似文献
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铅基复合钙钛矿型弛豫铁电单晶的生长基元与生长机理1: PMNT单晶的表面形貌 、负晶结构及生长基元的组装与拆分 总被引:4,自引:0,他引:4
铅基复合钙钛矿型弛豫铁电单晶体PMNT的生长基元为多种[BO~6]配位八面体,晶体生长过程可视为多种八面体基元与Pb^2^+的组装过程。这些生长基元向{111}面叠合时易采取法向生长机制,向{001}面叠合时易采取层状生长机制,由此决定了晶体生长速度的各向异性与晶体的形貌。Bridgman法生长的PMNT晶体在生长过程中由内向生长机制形成规则的负晶结构;在晶体生长过程中,在其自然表面上可形成正形与负形两种形貌;在高温退火过程中,由于PbO的分解,晶体表面上可形成类似"蚀象"的构型,这些可从[BO~6]八面体生长基元的组装或拆分方面获得解释。 相似文献
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A high-performance low-powerΣΔanalog-to-digital converter(ADC) for digital audio applications is described.It consists of a 2-1 cascadedΣΔmodulator and a decimation filter.Various design optimizations are implemented in the system design,circuit implementation and layout design,including a high-overload-level coefficient-optimized modulator architecture,a power-efficient class A/AB operational transconductance amplifier,as well as a multi-stage decimation filter conserving area and power consumption.The ... 相似文献
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对于具有3m点群结构的PMNT和PZNT单晶,按照三方晶系标准定向的要求,z轴应取(111)方向,但一些文献中的d33来表示在(100)晶面上受到正应力作用时的压电模量,这种表示中z轴的取向不符合三方晶系的标准定向,影响PMNT和PZNT单晶压电性能的研究,文章详细讨论了具有3m点群结构的晶体,在其(100)晶面上受正应力作用时的压电模量和机电耦合因数的表示关系,通过对压电系数和机电耦合因数的分析 相似文献