一种新型低功耗采样电阻短路保护电路设计

针对LED驱动电路中采样电阻短路时输出电流持续上升的问题,提出了一种新型的采样电阻短路保护电路。该电路应用于源极驱动模式的LED驱动电路中,在采样电阻短路时能及时关断芯片,有效防止了功率管因电流过大而损坏。与传统采样电阻短路保护电路相比,该新型电路结构简单,并且在提高精度的同时降低了功耗。通过仿真,验证了方案的可行性与优越性。     

双向晶闸管的设计与制作

本文将晶闸管的共性理论与双向晶闸管特殊性结构相结合，并根据几年来的生产实践，摸索出了一套设计与制作的方法，并在实践中得到了很好的验证。     

OTP存储器位线负载对读出速度的影响

在OTP存储器设计中,随着存储器容量的不断加大,位线负载也相应变大,可能导致读机制失效。为了防止发生读机制失效,需增加灵敏放大器充电时间,但是延长充电时间会影响读取速度。在分析OTP存储器灵敏放大器工作原理的基础上,重点研究了位线负载对读出速度的影响。通过仿真,优化了OTP存储器的读出电路参数。     

一种新型低成本过流保护阈值调整电路设计

针对输入纹波因数较大的LED驱动电路,提出了一种新型的过流保护阈值调整电路。该电路应用于峰值电流检测模式的反激式LED驱动电路,可适应不同输入电压下过流点偏差。使用新型结构,电路可自动调节过流保护电路阈值,而无需采样输入电压大小,过流阈值调节范围为0.78~0.88V。电路结构简洁,有效预防了功率管因过流而可能造成的损坏,同时获得更高的电源效率。该电路适用于大多数输入电压纹波较大的AC-DC电源芯片。     

抗辐射双极n-p-n晶体管的研究

根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20 V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1 kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%-15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%-20%. 关键词： 双极n-p-n晶体管 辐射效应 电流增益 抗辐射     

基于HSIM的铁电电容性能的研究

基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性能,并由此优化铁电电容的性能,使之更匹配于电路特性。     

一种基于标准工艺的熔丝修调电路设计

为了减小芯片生产过程对集成电路的影响,使生产芯片参数符合设计要求,分析现有修调技术特点,提出了一种基于标准工艺的金属熔丝修调电路,并成功应用到一个开关电源芯片中。其结构简单,成本低,可在标准工艺线上实现;在节约电路版图面积的同时,减小了电路的功耗。基于TSMC 0.5μm BCD工艺,通过Hspice仿真工具验证了电路功能的正确性,并完成电路版图设计,满足修调要求。