0.2μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用

0.2μm T形栅制作技术在100mm GaAs激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用.优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能.栅工艺重复性好,整片内器件性能均匀一致,确保了电路的成功研制.实际电路测试结果表明,在100mm GaAs片上制备的PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到70%以上,可靠性良好.     

Isolation and identification of nondestructive desulfurization bacterium

A nondestructive desulfurization microorganism has been isolated. The metabolism product analyses show that the strain can be a kind of biocatalyst to oxidize dibenzothiophene (DBT) into 2-hydroxydiphenyl (HBP), therefore the sulfur in DBT is removed selectively. The 16SrRNA information, cell wall analysis, physical, biochemical properties and morphological properties suggest that the isolated strain is Rhodococcus erythropolis. The strain can grow in the basal salts medium (BSM) that DBT concentration is no more than 10 mmol/L, and the optimal DBT concentration for growth is 1 mmol/L, however, the optimal DBT concentration for desulfurization is 0.5 mmol/L. The further research shows that the strain can also desulfur some other or-ganosulfur-containing compounds such as thianaphthene, phenyl sulfide and 4,6-dimethyldiben-zothiophene (4,6-DMDBT).     

一种用于信号侦测的码元速率估计方法

提出了一种数字通信信号码元速率的估计算法。对截获接收机输出的调制信号提取基带信号,利用此基带信号小波变换系数的模值,构造与原调制信号码速率一致的单极性脉冲序列。通过对此单极性脉冲序列的功率谱分析可知,在基带信号码元速率的整数倍处存在离散谱线,检测这些离散谱线即实现了信号码元速率的估计。这种算法能在低信噪比下估计信号的码元速率。理论分析和实际信号处理证明了本文提出算法的可行性。     

富Li对LiZn铁氧体微观结构和磁电性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺,按组分Li0.35+xZn0.3Mn0.06Fe2.29O4+δ+2%Bi2O3(x=0~0.180)在1 000℃下制备LiZn铁氧体,研究了不同富Li量对LiZn铁氧体微观结构、磁性能和介电性能的影响。结果表明,当富Li量x≤0.015时样品断面的微观形貌变化不大,晶粒均匀致密,而x≥0.045时,气孔和缺陷增多,晶粒尺寸减小;随着富Li量的增加,饱和磁化强度和剩磁比先略微增大后明显减小,矫顽力呈先缓慢后迅速增大趋势,而电阻率单调上升,介电损耗先下降后上升。当x=0.045时,LiZn铁氧体微观结构和磁性能较好,介电损耗角正切下降至5.25×10-4。     

127I2频率调制光谱在微型Nd:YVO4激光稳频中的应用

采用480 MHz频率调制和光外差光谱检测技术,将半导体激光抽运Nd:YVO4微型激光器的频率锁定在碘分子532 nm波段多普勒加宽的吸收谱线上.分析伺服误差信号表明,采用该技术锁定微型Nd:YVO4激光频率,其稳定度可达到10-10(1 s积分时间).     

待到齐心奋力时，人人皆欢笑——访清华大学陈弘毅教授

本期高端人士介绍：陈弘毅教授，博士生导师，原清华大学学术委员会委员、信息学院学术委员会副主任、微电子学研究所所长、学术委员会主任，IEEE高级会员、中国电子学会高级会员。     

基于循环平稳分析的MPSK信号调制分类

提出了一种新的MPSK信号调制分类算法。通过对预处理后的MPSK信号进行循环平稳分析,把利用高阶累积量对复基带MPSK信号的调制分类推广到已调信号。由于高阶循环统计量具有抗平稳噪声的能力,从而在高阶循环累积量域构成了分类特征不变量。这种分类算法无需知道信号参数的先验信息,理论分析和实验结果证实了分类算法的有效性。     

二次域Q(√3)的单位给出的两个递归数列中的三角数问题

对二次域Q(√3)中单位Vn Un√3=(2 √3)n所给出的两个递归数列{Vn},{Un}中的三角数问题进行研究,给出了完整的结果.作为应用,解决了与其相关的两个不定方程问题.     

氢键缔合主链超分子液晶聚合物:间隔基及扩展介晶元长度的影响研究

采用慢挥发溶剂组装方法制备了一系列羧酸/吡啶氢键缔合的主链型超分子复合物,并采用FTIR,DSC以及偏光显微镜等对其相转变与热致液晶相行为进行了比较研究.研究表明,分别具有较短的6或10个亚甲基的烷烃间隔基的双苯甲酸衍生物4',4'-二羧酸-1,6-二酚氧基己烷(C6-2COOH)和4',4'-二羧酸-1,10-二酚氧基癸烷(C10-2COOH)的系列复合物具有较高的熔点和清亮点,一般都只出现结晶近晶相和多晶型转变现象.而具有柔顺性较好的四甘醇醚链间隔基的4,4'-二羧酸-α,ω-二酚氧基四甘醇醚(C8O4-2COOH)得到的系列复合物均在降温过程生成单致的流体近晶SA和/或向列N液晶相.可见,间隔基增长,相转变温度降低,最终导致真正的流体液晶相的产生.另一方面,对于从同一种二元羧酸得到的组装体系,从4,4'-联吡啶(4,4'-BPy)、4,4'-联吡啶乙烯撑(4,4'-BPyE)到对苯二酚二异烟酸酯(p-PhBPy),由于双键或酯基的引入,可变形性和极性增大,刚性依次减弱,尽管中心核部分持续长度增大,所得复合物的各向同性化温度降低,形成流体液晶相的趋势增强,液晶有序性降低,流动性增加.指出了早期文献报道的一些不一致甚至矛盾的结果.通过不同系列的对比研究,得出的一些规律性对氢键组装尤其对羧基/吡啶氢键缔合超分子体系设计与构筑具有一定指导意义.