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在27keV Ar+离子轰击时,用收集膜技术结合俄歇谱仪(AES),研究了三元合金Cu76Ni15Sn9系统的择优溅射行为。同时使用扫描电子显微镜(SEM)与电子探针微分析(EPMA).观察了靶点表面形貌变化并测定了形貌特征微区的合金组份原子的相对百分浓度。结果表明,Cu原子较Ni原子、Ni原子较Sn原子,在所测定范围(0─60°)内择优发射。最后讨论了靶点表面形貌特征和“元素局域富集”现象对择优溅射过程的影响。
关键词: 相似文献
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利用密度泛函理论(DFT)研究光纤材料中锗缺氧中 心(Ge-DDC)与环 结构特性,建立基于三环结构的Si-O-Si结构模型和Ge-ODC模型;同时,通过紫外可见光 (UV-Vis)吸收与拉曼测试分析研究光纤材料的微结构 特性。理论分析结果表明:对于未掺杂Ge的光纤材料,其带隙为8.36eV左右;而对于掺杂Ge元素的光纤材料,其带隙为 5.0eV左右,会在242nm波长处形成一个吸收 中心,并且它与Ge-ODC缺陷中心的吸收中心相 对应。在Ge-ODC缺陷结构中,其三环 Si-O-Si结构与Ge原子之间存在紧密联系。当掺Ge的光纤材料经辐照处理后,光纤材料中 容易产生GeE′和SiE′缺陷中心。光纤材 料受到不同剂量辐照后,光纤材料中的三环结构数量随着剂量的增加而减少。研究结果表明 ,石英材料中Ge-ODC缺陷结构容易产生 于环结构周围,并容易受到外界能量的影响。Ge-ODC与环结构特性的理论研究,对 超低损耗石英光纤的制备与设计具有重要的实际应用意义。 相似文献
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非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法, 并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明:用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的,同时考虑库仑
关键词:
低能质子
非电离能损
硅
砷化镓 相似文献
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非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法, 并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明:用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的,同时考虑库仑 相似文献
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考虑高能粒子辐照二氧化硅玻璃形成E′色心的情况,建立了E′色心形成的动力学模型,得到了E′色心浓度与辐照剂量的关系式. 结果表明,在高能粒子辐照情况下,E′色心的形成包括两个过程,即色心的创造过程和色心的激活过程. 色心的创造过程主要由二氧化硅网格中疲劳键的断裂形成或网格中氧移位形成,E′色心浓度随剂量的变化呈线性增长.色心的激活过程主要由二氧化硅玻璃中固有点缺陷形成,E′色心浓度随剂量的变化呈饱和趋势.理论结果和实验结果符合很好,说明建立的模型是有效的.
关键词:
二氧化硅玻璃
E′色心
辐照剂量
动力学模型 相似文献
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