半导体晶片Fe/Ni玷污的紫外荧光谱研究

针对Si,GaAs半导体晶片中金属杂质玷污的问题,本文提出了紫外光致荧光谱的检测方法。常温下,晶片中的Fe,Ni杂质玷污可产生紫外特征荧光峰。这种新的检测方法是非破坏性的,并适用于φ76.2mm,φ100mm大圆片的直接检验,而且具有较高的检测灵敏度。     

薄膜内应力与温度特性的研究

本文论述了薄膜应力快速测量系统中测温系统的设计原理及数据的处理方法，倒置了簿膜内应力与温度变化的关系曲线，从而计算出簿膜的热膨胀系数和复合弹性模量。     

掺氮GaP晶片室温紫外光致荧光特性的研究

用紫外光致荧光法可以检测出ＧａＰ∶Ｎ液相外延晶片的室温ＰＬ谱和ＰＬＥ谱，同时还能观测到可引起绿色发光效率下降的Ｆｅ、Ｃｕ和Ｃｒ杂质沾污的荧光谱。本文介绍了ＧａＰ∶Ｎ晶片的ＰＬ特性的多峰结构及其与Ｎ和Ｎ－Ｎ对等电子中心激子复合发光的对应关系。     

镜面磨角法检测硅芯片上的多层薄膜

本文介绍一种可以用来剖析大规模集成电路芯片上多层薄膜分布的“镜面磨角—干涉显微镜”观测法。膜间界面比较清楚,使用国产6JA型干涉显微镜,可以拍照得到清晰的显微图象,能够以270A°的精度检测薄膜的厚度,还可以测出厚膜的平均折射率。文中给出了实验照片。     

热氧化硅内表面的结构与特性

对氧离子注入硅与热氧化硅样品内表面的氧分布进行了剖面观测,两者经过磨角的光学界面类同。用二次离子质谱（SIMS）分析,发现热氧化硅内表面的氧含量高达1020/cm3数量级。经过热氧化的硅与氧注入硅的表面都清楚地显示出一种电化学染色效应。最后,讨论了氧施主界面态问题。     

对半导体杂质沉淀无损检测的若干结果

用XCD-H红外电视测微显微镜,通过无损检测来评价半导体材料与器件工艺的质量。本文仅对材料的完整性与芯片制造工艺导致杂质沉淀的问题进行讨论。     

薄膜应力快速测量系统的研制

采用激光干涉原理ＣＣＤ摄像，计算机处理技术实现快速测量薄膜的应用。