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半导体激光二极管触发下砷化镓(GaAs)光导开关工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的GaAs 光导开关以提高开关场强.设计的开关芯片厚度为2 mm,电极间隙为3 mm,利用半导体激光二极管对开关进行触发实验.当开关充电电压超过8 kV 后,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关开始雪崩工作模式.随着开关电场不断增加,开关输出电压幅值也线性增加,但开关输出波形没有改变.对开关抖动进行测试,其测试结果显示开关偏压对抖动影响很大,随着开关偏压增加,开关抖动减小,当开关偏压升至15 kV 时,开关获得最小抖动约500 ps. 相似文献
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将现场可编程门阵列(FPGA)应用在高频疲劳试验机控制器中,以此来满足高频疲劳试验机对于波形频率等方面的特殊要求,使系统整体性能得到提高。 相似文献
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利用能量较低的脉冲激光二极管,在较高场强下触发GaAs光导开关,使其工作于雪崩模式,从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs光导开关采用垂直体结构设计,芯片厚度为2 mm,电极形状分别为圆环和圆面,触发光脉冲从圆环穿过。快脉冲产生由同轴Blumlein脉冲形成线完成。对基于GaAs光导开关的同轴Blumlein脉冲线进行了模拟仿真和实验,当充电电压超过8 kV(40 kV/cm)后,开关开始了雪崩工作模式。当充电电压约为15 kV(75 kV/cm)时,在50 Ω负载上获得了约11 kV的脉冲电压,实验波形与仿真波形一致。对开关抖动进行了测试,其测试结果显示开关充电电压对抖动影响很大,随着开关偏压增加,开关抖动减小,开关获得了最小抖动约700 ps。 相似文献
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创建一种光刻胶离心式旋涂过程中基于流体力学分析的凸面胶厚分布及胶厚均匀性模型,根据曲面流体运动方程以及凸面基片的面型特征得到了凸面恒速甩胶过程中胶层厚度的分布公式,结合凸面流体层流条件和牛顿流体的质量连续方程推导出胶厚分布与胶液类型、初始胶液粘度和密度、转速、基片几何尺寸以及甩胶时间等参数的关系式,利用光谱椭偏仪和台阶仪所测得的结果对该模型进行了验证,两者有较好的吻合,同时建立了胶厚均匀性与甩胶转速、甩胶时间的关系式,该模型可跟踪、监控和改进预光刻过程中凸面胶层的均匀性,以便改善最后的光刻线条质量。 相似文献
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文章对现场可编程门阵列 (FPGA)在高频疲劳试验机控制器中的应用方面作了一些探索 ,以此来满足高频疲劳试验机要求的波形频率等方面的特殊性。 相似文献
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