L频段电流型D类功率放大器设计与实现

电流型D类功率放大器与传统电压型D类功率放大器相比,能够消除由非线性寄生电容所带来的功率损耗,因而取得更高的效率和适用于更高的频率段。在L频段实验仿真设计电流型D类放大器的电路并对其电路进行性能分析,最后实现了在1GHz频率点电流型D类功放电路,采用LDMOS场效应管,实际合成输出功率为8.3W,功率增益为14.2dB,漏极效率可达64.8%。     

小步进捷变频率合成器设计技术

捷变频率合成技术在雷达、电子对抗等设备中具有极为重要的作用。利用DDS可以实现高速度、小步进跳频。对于捷变频率合成,首先系统地阐述了倍频、混频等各种提升和扩展频段的基本方式的特性,详细分析了它们的优缺点和可行性。提出了根据指标特点进行设计的一种通用方法,说明了设计中需要注意的细节。针对宽带合成器的特殊性做出了分析。最后作为实例,给出了一种捷变频率合成器的详细设计方案。     

RF MEMS开关的设计分析

针对具有低损耗、高隔离度性能的微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)开关,介绍了串联DC式和并联电容式的开关结构模型,并对并联电容式MEMS开关的工作原理、等效电路模型和制造工艺流程进行了描述,利用其模型研究了开关的微波传输性能,设计了一款电容耦合式开关并进行了仿真。由仿真结果可得,开关"开态"时的插入损耗在40 GHz以内优于-0.3 dB;开关"关态"时的隔离度在20～40 GHz相对较宽的频带内优于-20 dB。     

小型化毫米波增益均衡器的仿真设计

采用混合集成技术的宽带毫米波接收前端,由于MMIC器件增益或插损在工作频带内存在起伏,导致组件输出增益平坦度较差,可采用增益均衡器来改善组件的平坦度。设计了吸收式的毫米波微带增益均衡器来补偿2级低噪放的增益不平坦度。介绍了增益均衡器的基本原理,利用仿真软件ADS构建电路模型,按步骤进行了优化设计。简要讨论了薄膜电阻的相关设计问题,采用薄膜电路的形式实现了小型化,并最终用HFSS进行了全波仿真验证,设计结果与实测值十分吻合。     

微带Rotman透镜基于Planar EM的快速仿真

通过合理的排列端口位置,建立了透镜的仿真模型。讨论了几种快速仿真的办法,并针对透镜的具体形式得到合理有效的仿真方法,然后对透镜的整体性能进行仿真分析,通过与实测结果的比较,证实快速仿真方法的准确性。仿真讨论不同的端口长度、不同的渐变形状对透镜性能的影响,从而为透镜端口的进一步优化设计提供依据。     

射频自适应干扰抵消系统的分析与设计

自适应干扰抵消系统对提高电子对抗装备性能有非常重要的意义。在对自适应抵消系统原理模型进行总体分析的基础上,提出了系统的射频实现方案并对方案的性能做了详细的分析。针对工程实现过程中的一些问题进行了讨论,并给出了一些解决方法。依据该方案在225~400 MHz的工作频段内设计完成了性能较好的自适应干扰抵消系统,系统窄带抵消比接近50 dB,抵消时间小于1 ms,并且在整个工作频段内性能稳定可靠。     

微带线E类功率放大器的设计与实现

E类功率放大器作为开关模式放大器一种,其理想效率为100%。一种简单微带线拓扑网络的E类功率放大器被提出,这种微带线负载网络不仅满足E类功率放大器工作模式的特殊要求,而且对高次谐波有很好的抑制性,同时通过增加合适的偏置微带线可以拓宽放大器的工作带宽。采用ADS软件仿真电路,并在1GHz频率点电路实现了输出功率为4W,漏极效率为73.4%,其中漏极效率效率在63%以上的电路带宽为200MHz。     

微带Rotman透镜的设计与软件分析

运用二维远场理论分析微带透镜腔体内的电磁波传输方式,得出不同输入端口在各输出端口上的幅度和相位分布特性,并验证了输出端口的最佳接收方向。比较分析了实测结果与Planar EM和HFSS软件仿真结果的幅度和相位的差异,从而指出了Planar EM软件分析仿真微带透镜问题的可信度。     

一种高线性度混频器设计

高线性度混频器是大动态接收系统的关键器件,其线性度的提高有利于扩展接收系统动态范围。通过对二极管混频器的非线性分析,从理论上推导出增加二极管数量可以提高混频器线性度。基于理论分析结果,采用Ga As p HEMT工艺,设计了一款高线性度双平衡混频器,射频频率0.03~3 GHz,对应本振频率3.95~6.92 GHz,中频输出频率3.92 GHz,输入三阶截点大于25 d Bm,本振到中频、本振到射频的隔离度均大于37 d B,单片面积1.5 mm×1.1 mm。