一种新型平面固体扩散源——硼微晶玻璃片在CG39型硅微波低噪声晶体管生产中的应用

本文叙述了硼微晶玻璃片(国外简称为 Boron~(+TM),国内简称为PWB)在硅微波低噪声浅结平面型晶体管扩散工艺中的使用方法和系统的几何尺寸;并给出了温度 T 与扩散电阻 R 口的关系曲线;热处理时间与扩散层电阻的关系曲线;比较了 PWB 和 BN 箱法扩散的直流特性。     

窄基区晶体管的电流输运

载流子通过窄基区的硅双极晶体管的基极和集电极空间电荷区的输运,是用输运过程的Monte Carlo模拟的方法研究的。所得到的基区内载流子浓度比由一般的漂移-扩散方程所确定的要大,而且载流子渡越时间也相应地增加。在集电极空间电荷区的开始端的电场突然地增加到很大值时,观察到载流子平均速度异常地高。而后者要衰减到饱和速度,其时间常数与电场及各种动量弛豫时间有关。该现象是一个非平衡效应,不能用漂移-扩散方程计算,但是它对集电极渡越时间却是一个有限的影响因素。     

GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE GaAs缓冲层的改进设计

简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。     

应用于微波双极晶体管的尼尔森公式和有关噪声方程的极限以及与频率和电流有关的噪声系数的新表达式

在许多小功率微波双极晶体管中,高频特性基本上是由随电流而变的发射极-基极结的时间常数所控制。使用尼尔森(Nielsen)表达式描述其性能是无效的,因为所推导的尼尔森表达式适用于描述由基区渡越时间所控制的晶体管噪声系数,而与发射极电流无关。把从渡越频率f_T推导出的与电流有关的截止频率f_a代入这个方程而得到的噪声系数值远高于测量值。Malavuiya和van der Ziel的最新近似给出了比较好的符合,但是还没有与测量完全一致。新的表达式是考虑发射极时间常数而推导出来的,在3千兆赫下和在很宽的发射极电流范围内,该表达式与测量的最小噪声系数符合得很好。     

四位GaAs超高速D/A转换电路的研究

本文简要介绍了目前国际上GaAs超高速D/A转换器的研制情况。在详细分析了几种常用类型D/A转换电路工作原理的基础上,结合现有GaAs VHSIC的制作工艺条件,设计并制作了一种4位单片集成GaAs MESFET D/A转换电路。测试结果表明,该电路分辨率为4位,转换速率办1Gs/s,建立时间小于1.0ns,微分线性误差小于±1/2LSB,功耗约为20mW。     

2位GaAs超高速模-数转换电路的设计与制作

模数(A-D)转换电路是信号处理系统中的一种关键性元件。本文结合现有GaAs起高速集成电路工艺,提出了一种2位GaAs A-D转换电路的设计方法,并制作出了单片形式的2位GaAs A/D转换电路。实验结果表明,该电路能正常工作在1Gs/s的转换速率下。它的转换时间小于1.0ns,电路功耗不高于340mW。这说明它在速度和功耗方面已展现出比Si双极电路更为广阔的发展前景。     

硅上铝-钛电接触的特性

本文叙述用于硅集成电路中的铝-钛金属化工艺,这种金属化能产生高电导的电接触,而对硅的溶解可以忽略。然而,如果反应的产物TiAl_3能去掉整个钛层的话,那么希望要的接触是得不到的。TiAl_3是在金属化后用来稳定接触的电特性而进行热处理时形成的,发现在这样的反应中按比例于t~(1/2)的速率消耗钛层,速率常数由d=d_oexp(-E_a/kT)确定,式中d_o≈0.15厘米~2/秒和E_a≈1.85电子伏。这个速率常数能用来确定制造合乎要求的电接触所需要的钛层的厚度。     

GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE GaAs缓冲层的改进…

简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍＷ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。     

用微波激活氮的低温淀积氮化硅

通过 SiH_4和微波激活(2.45千兆赫)而产生活化氮的反应淀积了氮化硅膜。根据 Arrhenius 图,对于350℃～150℃激活能是0.6千卡/克分子,而对于150℃～50℃是2.3千卡/克分子。当淀积温度低于150℃时,其膜是一种松散的结构,这就引起一个快的腐蚀速率。对于每个 R_P,由不同浓度 SiH_4生成的膜,其折射率有一个最大值,并且低于2。根据 I-R 测量,证明了用目前的方法生成的膜是氮化硅膜。在特殊的条件下,得到了氮化硅的准确的化学配比。萤光光谱分析指出,在淀积的时候,SiH_4在活化氮出现时容易分解为 Si 原子,而且 Si 原子和 N 原子以一种气体状态存在。