阿伏伽德罗常量测定的进展与千克的新定义

简述国际千克原器的历史和重新定义千克的必要性，介绍阿伏伽德罗常数的意义和新近测定的进展情况，并讨论了通过阿伏伽德罗常量重新定义千克的可能性，结论是：经基本物理常量建立质量的自然基准已为时不远了，但还有一段很艰难的路要走。     

闪光照相条件下相对质量吸收系数的测量

 介绍了闪光照相中X光传播规律的等效单能模型。针对闪光照相出光重复性差、能谱测量困难的特点提出了相对质量吸收系数的概念。阐述了闪光照相中相对质量吸收系数的测量原理和方法。在闪光照相实验设备上采用整条D～L曲线对钨材料相对质量吸收系数进行了测量，得到的实验结果为1.23，与数值模拟结果1.26符合较好。     

上海移动电话集中操作维护中心简介

介绍了上海移动电话集中操作维护中心的设计思想、系统功能和与各网元的连接。     

氩缓冲气体对铯原子共振滤光器特性的影响

铯原子共振滤光器(Cs-ARF)是目前实现蓝绿激光水下通讯的一种关键元件。本文详细研究了不同气压氩缓冲气体对Cs-ARF特性的影响,明显改善了Cs-ARF的响应速率和辐射转换效率。还研究了氮气及不同器件结构对Cs-ARF特性的影响。     

Ce：LiCAF对激光器紫外短脉冲序列的产生

利用由常用的１０－ｎｓＱ开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光的四次谐波泵浦的Ｃｅ：ＬｉＣＡＦ激光器，直接地，被动地产生了２９０－ｕｍ，６００－ｐｓ脉冲序列。使用Ｃｅ：ＬｉＣＡＦ激光增益介质，采用最近提出的自注入种子脉冲序列结构，实现了简单的，全团体的紫外短脉冲激光器系统。     

一类二层凸规划的对偶二层规划

本文讨论上层目标函数以下层子系统目标函数的最优值作为反馈的一类二层凸规划的对偶规划问题 ,在构成函数满足凸连续可微等条件的假设下 ,建立了二层凸规划的 Lagrange对偶二层规划 ,并证明了基本对偶定理 .     

形成SOI结构的ELO技术研究

本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型