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无线电
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1996年
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1995年
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1
1.
SIMOX材料铁杂质沾污的紫外光致荧光分析
竺士扬等
曾庆城
《上海微电子技术和应用》
1996,(2):1-3,8
本文用紫外光致荧光法无损检测孙同工艺参数制备SIMOX材料正面和背面的铁杂质沾污程度,得出了这些样品铁杂质浓度的相对大小。
相似文献
2.
SIMOX隐埋氧化层针孔形成过程的计算机模拟分析
竺士扬
林成鲁
《上海微电子技术和应用》
1995,(4):1-5
SIMOX材料埋氧化经层的针孔密度是标定其质量的一个重要参数。本文用改进的二维IRIS程序模拟分析了当注放的硅片表面存在阻挡物时,注入后氧在硅片内的分布,提出也引起针孔的杂擀临界颗粒尺寸的概念。
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