桉树杂交种与其亲本的近红外光谱判别

研究桉树控制授粉后目标性状的基因作用方式是探索其基因重组规律的重要内容。常规的数量统计分析精度往往不高,而DNA分析的专业要求高,且费时费力。该研究利用近红外光谱(NIRs)研究不同基因型桉树杂交种、亲本及杂交种与亲本间近红外光谱信息的关系,探索NIRs用于桉树杂交种与其亲本判别的可行性和准确性。以控制授粉的桉树亲本及其杂交F1代材料为对象,每种基因型从各自田间试验分别选取10个单株,采集树冠中上部新鲜健康叶片。用手持式近红外仪Phazir Rx(1624)采集桉树杂交种与其亲本叶片的NIRs信息。每单株选10片完全生理成熟的健康叶片,避开叶脉扫描其正面光谱5次,以50条NIRs信息的均值代表单个叶片的NIRs信息,最终每个基因型获得10条NIRs信息。对原始NIRs采用二阶多项式S.G一阶导数预处理。预处理后的NIRs用于多元统计分析,首先对桉树杂交亲本和子代样本进行主成分分析(PCA),直观展示不同基因型的分类情况。然后运用簇类独立软模式(SIMCA)和偏最小二乘判别分析(PLS-DA)两种有监督的判别模式验证NIRs用于桉树杂交种与其亲本树种的分类判别效果。PCA结果显示,不同的亲本间、杂交种间及杂交种与亲本间样本的主因子得分可以清晰地将各基因型分开。SIMCA模式判别分析中,桉树杂交种样本到亲本PCA模型的样本距离显示,待判别样本能够形成单独的聚类,且能直观反映两者的遗传相似。PLS-DA判别结果显示,桉树杂交亲本的PLS模型能通过预测其杂交子代的响应变量将其与亲本准确分开。结果表明,桉树叶片的NIRs信息可以准确地反映桉树杂交子代遗传信息的传递规律,NIRs判别模型可以准确地将各种基因型予以区分。因此,NIRs信息不仅可用于桉树杂交种和纯种的定性判别,还可以分析桉树基因重组过程中加性遗传效应的大小,从而为桉树遗传基础分析及其育种改良研究提供理论支撑。     

一种外置式视频同步信号发生器的设计

对随机视频信号的特点进行了研究，提出了采用谱分析提取随机视频信号的同步频率的方法，根据数据传输的要求设计了基于USB接口的外置式视频同步信号发生器并给出了系统的硬件框图和软件流程。系统具有自动分析随机视频信息隐含的同步信号频率，精确产生同步脉冲信号的特点，满足随机视频信号采集和稳定显示的同步要求。同步精度达到300帧内图像漂移小于1个像素。利用该视频同步信号发生器控制非标准图像采集卡实现了计算机辐射的随机视频信号的采集和稳定显示。     

形式化语言在UMTS开发中的应用

由于3G协议规范的复杂性，3GPP方法论指导方针中鼓励使用标准的形式化语言来进行UMTS产品的设计、开发与测试。文中概要性地描述了UMTS的体系结构和在规范描述中用到的一些形式化语言的基本概念和特点，探讨了这些形式化语言在UMTS开发中的应用。使用形式化语言开发UMTS可以简化和改进测试程序，实现新产品与新标准的同步推出。     

一种利用Gabor小波特征的目标跟踪方法

小波特征跟踪是一种新的目标跟踪方法。这种方法利用Gabor小波提取目标的边界特征来组成特征模板,并由小波滤波器系数组成特征向量。在跟踪过程中不断优化特征模板的旋转、尺度及平移等几何变形参数,使得小波特征向量值在最小平方和的意义上与初始值相匹配,从而实现目标旋转、尺度及平移等几何变形时的自动跟踪。实验表明,该方法能够有效地跟踪飞机、车辆等目标,并且能够抵抗全局亮度的变化和局部遮挡的干扰。     

压电振子径厚耦合振动的二维等效电路研究

提出了一种轴向极化压电圆环和圆片的径厚二维耦合等效电路模型。应用这一模型分析了它们的耦合振动,比较了不同尺寸比例下耦合振动与单一模式振动的异同,发现这种方法比一维等效电路方法能在较宽尺寸范围内更准确的分析压电振子的振动问题。有限元计算和试验测量结果验证了这一模型对压电振子频率计算的准确性。     

开关电源电压工作范围自动转换装置的研制

目前，彩色电视机的工作电网一般可分为两类，交流１１０Ｖ和２２０Ｖ电网，尽管开关电源的工作范围很宽，但它不可能同时适用两种电网电源，为此设计了一种１１０Ｖ／２２０Ｖ电网自动转换装置，以拓宽其工作范围，满足出口贸易的需要。     

浅议思维的跨越性

思维的“跨越性”属于一种极可宝贵的创造思维品质。以思维进程来说,它表现为省略思维步骤,加大“前进的跨度”;从思维条件的角度讲,它表现为跨越事物“可见度”的限制,迅速完成“虚体”与“实体”之间的转化,加大思维“转换的跨度”。     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.