溶液法制备Tl_mBa_2Ca_nCu_(n+1)O_y超导膜

本文采用溶液浸涂法制备 Tl-Ba-Ca-Cu-O 系超导晶相 Tl_mBa_2Ca_nCu_(n+1)O_y(m=1,2;n=1,2).研究了组分与晶相之间的关系,并提出晶相控制参量 Tl/Ba,当 Tl/Ba>0.7时,可以得到 m=2的双铊氧面超导相;当 Tl/Ba<0.7时,可以得到 m=1的单铊氧面超导相.阐述了溶液法制备高 T_c 氧化物超导膜的特点.所得的双铊氧面超导膜厚度约2μm,T_(c0) 约110K,J_c 可大于10~4A/cm~2.     

含镧氟锆酸盐玻璃的形成与结构

本文研究了含镧氟锆酸盐玻璃的形成区和晶化机理,并对该系统玻璃结构作了探讨。LaF_3的引入使玻璃形成能力增加。在PbF_2-LaF_3-ZrF_4三元系统或PbF_2-LaF_3-AlF_3-ZrF_4四元系统玻璃中均呈现分相现象,后者导致玻璃整体析晶。X-射线衍射的研究表明,在较低温度时,析出的晶相为PbF_2·ZrF_4,而在较高温度时,析出第二相LaF_3·2ZrF_4。La~(3+)在玻璃中的配位状态为[LaF_8],与[ZrF_6]、[ZrF_7]、[ZrF_8]、[AlF_6]等配位多面体通过共顶或共棱形成玻璃网络。随LaF_3和AlF_3含量的增加,Zr-F-Zr键角有增大的趋势。     

CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究

用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．     

退火对CdZnTe晶体质量的影响

我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等，研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响．结果表明，在Cd气氛中，700℃，退火5小时以上，能大量地去除晶片中的Te沉淀，提高其红外透射比；同时，退火也导致了晶片表面的损伤，损伤层为50～130μm．表面结构损伤的原因是，（1）Cd气氛中退火，CdZnTe晶体表面的Zn损失；（2）退火过程中，吸附在沉淀物周围的杂质，尤其是快扩散杂质，将随着沉淀相的消失而迁移到晶体的表面，从而破坏了表面的晶体结构．退火后，磨去损伤层，可将聚集在表面的这些杂质除去，更有利于外延生长或器件制备．     

硫系玻璃的N^＋离子注入及表面改性研究

首次对Ａｓ－Ｇｅ－Ｓｅ三元系统和Ａｓ－Ｇｅ－Ｓｅ－Ｔｅ四元系统的硫系玻璃试样进行了Ｎ＋离子注入试验。结果表明，玻璃试样的显微硬度随Ｎ＋离子注入剂量的增加而提高，并且在注入剂量达到２．５×１０１６附近的数值时为最大。ＸＰＳ谱结果显示，在Ａｒ＋离子轰击６分钟后的试样表面出现Ｎ１ｓ的结合能峰，此外各元素的结合能峰也在Ｎ＋离子注入后发生了位移，并随Ａｒ＋离子轰击时间向高能方向移动。