基于ATmega128L微控制器的高压断路器测试仪

引　　　言高压断路器也俗称高压开关,它是当电力网中遇到自然界的雷击或者人为造成短路现象时,能够及时顺利地切断线路电源,以保证电力系统和工厂高压电器设备的安全。一旦高压断路器不能可靠分合,必须及时发现,否则会有设备损坏及人身伤亡事故发生。所以对高压断路器产品出厂     

Nd∶NaR(WO_4)_2晶体生长(R=Bi,Y)

采用提拉法生长出了掺钕钨酸铋钠[Nd∶NaBi(WO4)2,简称Nd∶NBW]和掺钕钨酸钇钠[Nd∶NaY(WO4)2,简称Nd∶NYW]晶体,并给出了制备无开裂优质Nd∶NBW和Nd∶NYW晶体的最佳生长工艺参数。从XRD分析得到Nd∶NBW和Nd∶NYW晶体的晶胞参数,并分析了晶体的拉曼光谱,认为二者结构基本相同,为四方晶系、白钨矿结构、I41/a空间群。由吸收光谱可以看出,Nd∶NBW在802nm有较强的吸收峰,Nd∶NYW在804nm、752nm、586nm附近有较强、较宽的吸收峰,二者均适合于LD泵浦;计算了晶体中Nd3+的吸收截面积。     

C_(74)的结构、电子光谱及三阶线性光学性质的理论研究

用密度泛函（DFT）方法（BLYP/3－21G~*）研究了C_(74)的稳定几何构型。用 ZINDO及ab initio GIS两种方法对C_(74)的电子光谱进行了计算，预测C_(74)在红 外区域有光谱吸收。计算了C_(74)的三阶非线性光学系数<γ>为1.483 * 10~(-32) esu，它比C_(60)的<γ>（8.84 * 10~(-34) esu）要大得多。预测C_(74)亦将是 一种有很好应用前景的磁性材料。     

高质量CdSe单晶生长及其OPO性能研究

本文利用有籽晶的HPVGF法生长了尺寸为φb54 mm× 25 mm的高质量CdSe单晶,晶体为纤锌矿结构,(002)和(110)面的XRD摇摆曲线半高宽分别为54.4"和45.6".使用红外显微镜和扫描电镜-能谱分析仪对晶体内部的夹杂相进行测试,表明晶体内部存在小尺寸富Se夹杂相.CdSe晶片在2.5～20 μm范围内的透过率高于68;,平均吸收系数为0.037 cm-1.制备出尺寸为10mm×12 mm×50mm且满足第Ⅱ类相位匹配条件的CdSe晶柱,在重频1 kHz,波长2.09 μm的Ho∶ YAG调Q泵浦源激励下,实现了中心波长为11.47 μm,线宽为33.2 nm的激光输出,最大输出功率为389 mW.     

PVT法氮化铝晶体铝面、氮面生长对比分析

在氮气环境下用PVT方法生长氮化铝过程中,氮面和铝面由于表面化学性质不同,生长的主要化学反应速度存在差异。原子在生长表面的迁移能力不同造成单晶表面生长方式差异较大。在基本相同条件下(生长温度、生长温差、生长气压、类似的籽晶、同一台生长设备)进行了铝、氮面氮化铝单晶晶体生长。为了更明显地表现铝氮面的差异,将同一片籽晶分为两半,翻转其中一半让铝氮面同时生长。铝面生长较好的区域形成了明显的晶畴,而氮面生长时生长较好的部分出现了明显的生长台阶,并出现了晶畴边界被生长台阶湮灭的生长现象,进一步通过AFM观测到铝面生长台阶平整但被缺陷所阻隔,晶畴发育明显为各晶畴独立生长。氮面生长台阶没有铝面规则但连续性较强,在原来晶畴边界位置也出现了连续的生长台阶(或台阶簇)。所以籽晶质量不高时氮面生长更容易提高晶体质量,后续的XRD测量结果也证明了氮面生长后的晶体质量明显高于铝面生长的晶体质量。     

K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响

采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂CdS晶体,对掺杂和未掺杂的CdS晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对CdS晶体光学及电学性能的影响.生长时用KCl进行掺杂.显微观察显示,掺杂KCl后CdS晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中.红外光谱透过率发现掺杂K元素的CdS晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5～ 10 μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15％.另外,K元素掺杂CdS晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/ (V·s)下降为146 cm2/ (V·s).     

4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法

以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光。用微分干涉显微镜和原子力显微镜观察晶片表面形貌的变化,观察结果显示,经3 h抛光后晶片的表面粗糙度状况得到了明显的改善,表面没有观察到划痕,表面粗糙度值达到了0.1 nm以下,并且出现规则排列的原子台阶构型,达到了原子级平整。实验研究了抛光液组成对抛光效果的影响,在最优的条件下,化学机械抛光的去除速率约为387 nm/h。     

复杂电磁环境评估方法研究

随着信息技术的迅猛发展和应用,战场环境尤其是电磁环境变得越来越复杂,并对作战行动产生着深刻影响,组织对复杂电磁环境的评估也随之变得更为重要。因此,应该着眼复杂电磁环境的评估要求,积极创新评估体系和方法手段。本文通过对复杂电磁环境参数的分析,结合模糊数学理论的特点,提出了一种新的复杂电磁环境评估方法,并构建了复杂电磁环境的模糊评估模型,通过实例证明了该方法评估复杂电磁环境的可行性。由于该方法可以节省大量的人力、物力、财力,因此得到了广泛的应用。     

遥感影像匹配技术研究

影像匹配技术是一门迅速发展的图像处理技术,在图像镶嵌,图像融合,军事侦察等领域有广泛应用。影像匹配就是将图像归一化到统一的坐标系统中去,将两幅图像或者图像与地图进行空间对准,进而将两幅图像拼接在一起,其主要分为空间域和频率域匹配两大部分。笔者对该领域的经典方法进行了总结归纳,并从原理和性能上对各种算法进行了对比分析,指出各算法在影像匹配中的优势及存在的问题。     

基于相邻像素灰度改正比的遥感图像拼接缝消除

针对常用的拼接缝消除方法在图像间灰度差较大的情况下适用性差,甚至会导致新灰度突变的问题, 提出一种新的拼接缝消除方法。首先以拼接缝两侧相邻像素的改正比值为基准比值, 再将其分别在改正范围内逐渐过渡得到其他像素的改正比值, 然后沿拼接缝方向对改正比值进行卷积平滑以避免条纹状的改正痕迹现象, 最后与原图像加权融合得到无缝的结果图像。实验结果表明, 算法既实现灰度的平滑过渡又较好地保持了原图像的灰度特征, 与原图像的相似度和吻合度更高, 结果图像具有良好的视觉效果和较高的图像质量, 尤其对灰度差增大的情况仍能得到令人满意的结果。此外, 根据拼接缝两侧平均灰度差值提出一种改正范围与灰度差成正比的自动确定改正宽度的方法, 算法可行、有效, 具有较强的适用性。