RF—PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理

本文综合评述了用射频率等体化学气相沉积法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。     

a-C∶H(N)薄膜结构的X射线光电子能谱分析

采用直流-射频等离子增强化学汽相沉积技术制备a-C∶H(N)薄膜，用X射线光电子能谱研究了混合气体中N₂含量对薄膜成分与结构的影响.a-C∶H(N)薄膜中含氮量可达9.09%.对a-C∶H(N)薄膜的C1s和N1s结合能谱的分析表明a-C∶H(N)薄膜的结构是由C₃N₄相镶嵌在sp²键结合的CN_x基体中组成.其中C₃N₄相中N和C原子比接近4∶3，不随薄     

RF－PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理

本文综合评述了用射频等离子体化学气相沉积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。着重介绍射频ＣＨ＿４等离子体中，各种离子和中性基因的产生和传输机理，以及等离子体与材料表面反应的动力学基本理论。     

氮化碳薄膜的X射线光电子谱

用ＸＰＳ研究射频－直流等离子体增强化学气相沉积获得的氮化碳薄膜的化学结构。Ｃ１ｓ和Ｎ１ｓ芯能级电子谱分析表明：在ＣＮ膜中含有Ｎ－ｓｐ＾３和Ｎ－ｓｐ６２两类化学结构,在高含Ｎ膜中还含有少量的Ｎ－ｓｐ相,且代表Ｎ－ｓｐ＾３结构的原子 比为１．２８,接近４：３,证明此膜中存在类β－Ｃ３Ｎ４相。     

国内外塑料模具标准件顶杆用钢及处理工艺概况

本文主要分析了顶杆的受力情况及其失效形式,并概述了国内外顶杆用钢和处理特点及其发展趋势。     

a—C：H（N）薄膜结构的X射互光电子能谱分析

采用直流－射频等离子增强化学汽相沉积技术制备ａ（Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜，用Ｘ射互光电子能谱研究了混合气体中Ｎ２含量对薄膜成分与结构的影响，ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜中含氮量可达９．０９％，对ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的Ｎｌｓ结合能谱的分析表明ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的结构是由Ｃ３Ｎ４相镶嵌在ｓｐ＾２键结合的Ｃｘ基体组成，其中Ｃ３Ｎ４相中Ｎ和Ｃ原子比接近４：３，不随薄膜中含Ｎ量改变，薄膜中Ｃ３Ｎ４相和ｓｐ＾３碳伯含量随Ｎ