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基于SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低压高电源抑制比(PSRR)带隙基准电压源。采用带曲率补偿的电流模结构,使输出基准电压源低于1.2 V且具有低温漂系数。在基本的带隙基准电路基础上,增加基准核的内电源产生电路,显著提高了电路的PSRR。采用Cadence Spectre软件,在1.8 V电压下对电路进行仿真。结果表明,在1 kHz以下时,PSRR为-95.76 dB,在10 kHz时,PSRR仍能达到88.51 dB,在-25 ℃~150 ℃温度范围内的温度系数为2.39×10-6 /℃。 相似文献
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设计了一种超高速高精度时钟占空比校准电路。采用一种新的脉冲宽度校准单元,通过控制电压调整时钟上升、下降时间来实现占空比调整。同时,设计了一种时钟放大模块,降低了占空比校准单元对输入时钟幅度的要求,提高了占空比校准精度。分析了各电路模块的作用以及对整体性能的影响。采用SMIC 65 nm CMOS工艺,在1.8 V电源电压下对各模块以及整体电路进行仿真验证。仿真结果表明,该时钟占空比校准电路能对输入频率为1~4 GHz、占空比为20%~80%的时钟进行精确校准,校准后的占空比为(50±1)%,系统稳定时间为200个输入时钟周期,功耗为10 mW。 相似文献
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设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂的无电阻带隙基准源。在传统无电阻带隙基准电压源的基础上引入反馈环路,实现了对电压的箝制,减小了沟道长度调制效应和失调电压,提高了带隙基准源的PSRR。引入正温度补偿电路,减小了带隙基准源的温度系数。采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,在3 V工作电压下,在低频下带隙基准源的PSRR为-65 dB,在-25 ℃~125 ℃温度范围内的温度系数为3.72×10-5/℃。 相似文献
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