打造“书虫”的移动书城

<正> 用手机看书已在不知不觉中成为当前一种便捷、廉价的阅读解决方案,虽然少了几许"书香"的感觉,却更符合我们时尚的潮流,更能将手机的作用充分发挥。正因如此,各式各样的手机阅读软件应运而生,越来越精致,越来越丰富。今天向大家介绍的这款"墨客书虫"不仅在软件名称上别具一格,更是首次将"移动书城"的新颖概念引入手机阅读器中,现在就让我们去一睹它     

离子注入GaAs MESFET''s的有限元二维数值分析

本文用有限元方法对离子注入 GaAs MESFET’s的稳态特性进行了二维数值模拟和分析,并与均匀掺杂器件作了比较.程序中,对边界条件、网格剖分和初值选取方法进行了改进.所开发的程序可以对不同尺寸、不同掺杂分布的平面栅、凹形栅 GaAs MESFET’s进行二维数值分析,得到其内部电位、电场、载流子浓度等物理量的二维分布和器件的I-V特性.本文还讨论了凹形栅的几何形状对器件内部电场强度的影响.最后,对实际的离子注入凹形栅GaAsMESFET进行了模拟,计算结果与实验数据基本吻合.     

激光二极管泵浦Yb:YAG激光器

通过对Yb:YAG晶体中Yb3 粒子的吸收谱的分析和讨论,认识到Yb:YAG晶体作为LD泵浦固体激光器的激活介质,有着其它晶体所没有的优点:能级结构简单.在此基础之上,设计了一套LD端面泵浦Yb:YAG激光器.在泵浦光强为25 W时,获得了6.09W的1030 nm稳定的连续激光输出,光光转换效率为24.3%,斜效率为31.6%.     

单光束双脉冲、双波长巨脉冲Cr:LiSAF激光器

为实现单光束、双波长、双脉冲Cr:LiSAF调Q激光输出,实验中创造性地采用高压方波驱动电光Q开关实现了双波长、双脉冲的Cr:LiSAF可调谐激光输出。获得了波长分别为890nm与900nm,脉冲能量分别为31mj与38mj,脉冲宽度分别为30ns和27ns,脉冲间隔82μs的单光束、双波长、双脉冲Cr:LiSAF调Q激光输出,双脉冲的不同轴度不大于0.15mrad。为差分吸收激光雷达系统所需单光束、双波长、双脉冲激光器的进一步研制奠定了良好的理论与实验基础。     

电光切换双波段激光器的研究

在闪光灯抽运的Cr.LiSAF激光器中插入电光切换结构获得两路独立可调谐的双波长交替激光输出.研究了900 m处激光器的抽运能量输入-输出和抽运能量输入-输出脉宽的关系.在900 ni附近,获得脉宽30ns,单脉冲能量30mJ的脉冲输出.两个切换的脉冲在差分吸收雷达系统上有重要的应用价值.     

Resonator insensitive investigation to thermal lens for end-pumped lasers

Optical pumping of solid-state lasers induces a thermal lens effect in the laser crystal; this thermal effect determines the beam properties. In this paper, the focal length of the thermal lens is calculated, and resonator parameter (g_1 g_2) is obtained, which is insensitive to thermal distortions when the product of the resonator parameters (g_1, g_2) equals 1/2. By using our calculated results, we get the fundamental transverse mode laser output with optic－optic conversion of 48.6%, and slope efficiency of 56.3%.     

具有直接带隙的［001］Si_m／Ge_n应变超晶格

本文用半经验紧束缚法（ＬＣＡＯ）对赝形生长在（００１）Ｓｉ１－ｙＧｅｙ（０≤ｙ≤１）衬底上的Ｓｉｍ／Ｇｅｎ（２≤ｍ＋ｎ≤４０）应变层超晶格的能带结构进行了系统的计算．结果表明，当Ｓｉ层和Ｇｅ层的厚度ｍ和ｎ的取值分别为（１，４），（２，３），（３，２），（４，１），（２，８），（３，７），（４，６），（６，４），（３，６），（６，３），（７，７）时，对称应变Ｓｉｍ／Ｇｅｎ超晶格的能带结构为直接带隙，其中ｍ＋ｎ＝１０的规律已为近两年其它理论计算和部分实验结果所证实．本文所得的ｍ＋ｎ＝５及其它ｍ＋ｎ≠１０的直接     

离子注入GaAs MESFET''''s的有限元二维数值分析

本文用有限元方法对离子注入 GaAs MESFET’s的稳态特性进行了二维数值模拟和分析,并与均匀掺杂器件作了比较.程序中,对边界条件、网格剖分和初值选取方法进行了改进.所开发的程序可以对不同尺寸、不同掺杂分布的平面栅、凹形栅 GaAs MESFET’s进行二维数值分析,得到其内部电位、电场、载流子浓度等物理量的二维分布和器件的I-V特性.本文还讨论了凹形栅的几何形状对器件内部电场强度的影响.最后,对实际的离子注入凹形栅GaAsMESFET进行了模拟,计算结果与实验数据基本吻合.