500 V LDMOS研制

为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计。设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压N阱作为LDMOS的漂移区做在P-外延层中,深N阱层做在P型衬底上。由于深N阱层注入推结深步骤后的热制成步骤,导致深N阱层会反扩到P-外延层,深N阱层是漏端重要组成部分,与高压N阱一样承担BVDS耐压重要功能。击穿电压的关键是高压N阱漂移区(耐压区)和深N阱层耐压区的结构。利用工艺仿真软件对高压N阱漂移区和深N阱层耐压区的不同注入剂量、长度、结深对LDMOS器件的击穿电压的影响进行了汇总,最终确认各个参量数值。     

基于FPGA的两路千兆以太网光纤传输系统

提出了一种基于FPGA的两路千兆以太网光纤传输系统,并使用千兆以太网交换机芯片和XILINX公司包含GTP模块的Spartan-6系列FPGA实现了该系统,着重介绍了系统各单元的设计方案及关键技术的实现.     

基于FPGA的SDH勤务电话设计

提出了一种基于FPGA技术实现SDH勤务电话的方法.利用段开销资源传输所有相关数据,采用路由设计优化传输通道.FPGA内部采用信令备份设计和状态机设计,对网络状态进行监控和管理.