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1.
采用有限元分析软件COMSOL Multiphysics仿真了三维结构的谐振器,探讨了不同的顶电极形状对谐振器性能的影响。有效机电耦合系数(k2teff)随电极-压电层厚度比增大而减小,其中电极形状为三角形的谐振器在厚度比为0.05时获得最大k2teff(5.73%)。品质因数Q值变化趋势与k2teff相反,由三角形电极在厚度比为0.25时,获得最大Q值为1 314。不同电极形状的谐振器的优值随电极-压电厚度比先增大后减小,最大值为65.4,由正方形电极在比值为0.15时获得。  相似文献   
2.
介绍Co3O4催化分解工业废气中N2O的基础知识,涉及N2O分解的主要化学原理,以及Co3O4催化剂的结构特点、催化机理和改进,供一线高中化学教师用于教学实践。  相似文献   
3.
加强物理实验改革培养学生创新能力   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文阐述了物理实验在培养创新能力方面的重要作用,针对物理实验存在的问题提出了改革措施,从而达到培养学生创新能力的目的。  相似文献   
4.
采用独特的快速循环纳米晶化技术(RRTA)对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜进行纳米晶化。研究了不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和软磁性能。结果表明,CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30 nm,RRTA晶化方法可有效地控制CoNbZr薄膜的软磁性能。  相似文献   
5.
自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做了展望。  相似文献   
6.
针对现有表面横波谐振器设计软件仿真精度不够的问题,通过引入中间栅P矩阵模拟其对声波的反射和声速的调制作用,计算不同占空比栅阵的耦合模参数,在仿真中加入了中间栅周期、分布和换能器占空比等变量,实现了对中间栅、占空比的优化设计.利用寄生电路计算模块,分析了封装寄生参数的影响,进一步提高了仿真精度.利用该法设计了中心频率315 MHz、插入损耗12 dB、品质因数7 000的谐振器.经实验证实,仿真误差小于0.5%,仿真精度满足设计需要.  相似文献   
7.
使用机电耦合系数小的基片可减小声表面波梯形滤波器的带宽,但会降低基片的声电转换效率,增加滤波器的插入损耗.该文设计了基于m推演结构的梯形滤波器,使滤波器过渡带宽上产生2个额外的传输零点;降低通带宽度,并在此基础上分析了各参数对其性能的影响,通过调整参数以满足不同需求.实验结果表明,中心频率为500 MHz的梯形滤波器,带宽由40 MHz减小到15 MHz,矩形系数由1.6减小到1.3,滤波器的插入损耗增加了0.5 dB.  相似文献   
8.
杨杰  马晋毅  杜波  徐阳  石玉 《压电与声光》2014,36(2):217-220
研究了恒定气压下、通入不同气体流量对射频磁控溅射原位沉积氮化铝(AlN)薄膜应力、结晶质量和表面形貌的影响。利用应力分析仪、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和台阶仪对AlN薄膜的结构特性进行了分析。结果表明,恒定气压下改变通入气体流量对薄膜应力、结晶质量、表面形貌及粗糙度和薄膜沉积速率均有影响。当通入气体流量为10cm3/min时,AlN薄膜呈明显的压应力,结晶质量较差。增加通入气体流量降低了薄膜沉积速率和增加了表面粗糙度,但有利于减小薄膜的压应力和提高薄膜的结晶质量。本实验条件下得出的溅射AlN薄膜的最佳流量条件为50cm3/min。  相似文献   
9.
基于SMIC 0.13 μm CMOS工艺,在3.3 V/1.2 V(模拟/数字)双电源下,设计了一种11位80 MS/s的数/模转换器(DAC)。电路采用分段式电流舵结构,高6位为温度计码,低5位为二进制码。该DAC应用于无线通信SoC的模拟前端。IP核尺寸为960 μm ×740 μm,功耗40 mW,电路仿真结果显示,DAC的最大积分非线性误差和微分非线性误差分别为0.5 LSB和0.3 LSB。在20 MHz输出信号频率和80 MHz采样率下,DAC差分输出的SFDR为80 dB。设计的电路已经通过MPW流片验证,给出了DAC芯片照片与实测数据。  相似文献   
10.
磁阻传感器的多相滤波模型   总被引:3,自引:0,他引:3  
提出了一种新颖的倾斜多相滤波(SMPF)磁阻器件设计模型,采用这种SMPF模型设计的磁阻传感器,可以滤去n(n=2,3,4…[V])次谐波;倾斜相角Δθ=2π/3时,波形畸变最小;具有正弦输出的编码器被研制,实验发现当倾角φ=5°[p=0.8mm,l=3mm,Δθ=2π/3]时输出为正弦波,与SMPF理论值φ=4.904°相吻合,这一结果可以广泛于磁阻传感器领域。  相似文献   
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