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基于硅微机械加工工艺,设计并制作一款W波段4路硅基波导功分/合成器.通过在8英寸的硅晶圆上采用干法刻蚀和晶圆级键合等工艺途径实现了硅基波导结构.根据硅微机械加工工艺的特点,设计了一种基于H面T型结和3dB耦合桥结构的波导功分/合成器.该功分/合成器表现出的损耗为0.25 dB.最后,采用该硅基功分/合成器对4只2W的G... 相似文献
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针对国内对高灵敏、小体积、造价低的矢量水听器迫切应用需求的现状,提出了一种新型的双"T"型微机电系统(MEMS)矢量水听器。该敏感单元结构可一体化加工,且加工成本低,适合大批量生产,易于阵列化。采用ANSYS仿真,得出1阶共振频率为1 840Hz,压敏电阻位置距离梁根部180μm。对此结构进行声学封装与测试,测试结果表明,该水听器在1kHz的灵敏度达到-175dB,工作频段为100Hz~4kHz,具有良好的"8"指向性。 相似文献
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<正>随着化合物半导体技术日益成熟,利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现Si CMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路/系统性能,既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。南京电子器件研究所开展了基于外延层转移技术的晶体管级异构集成方面的研究,在国内首次将1.5|im厚的76.2 mm(3英寸)GaAs pHEMT外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示), 相似文献
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<正>南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方面的研究,并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术,成功地将3μm厚的76.2 mm(3英寸)GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),并进行了Si基GaAs PIN二极管的制备。测试表明,Si基GaAs PIN二极管性能与GaAs基PIN二极管性能相比没有发生退化(如图2所示),且具有较好的片内一致性(如图3所示),这说明整套外延层转移工艺并未对外延层的质量产生影响。 相似文献
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