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1.
低阻VDMOSFET的优化设计与制造 总被引:1,自引:1,他引:0
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。 相似文献
2.
本文从雷达接收机MCM实用化电路的设计、研制、组装、封装等方面进行了深入细致的工艺技术研究,研制的实用化产品电路主要应用于雷达接收机的接收前端,其主要技术指标达到增益≥50dB、噪声系数≤4dB、ldB压缩点功率≥10dBm、频率2.7~3GHz,层数10层,实用化产品经用户使用,完全满足使用和合同指标要求,并通过了技术鉴定和上级的合同验收。 相似文献
3.
文章主要介绍了一种实现高速短波差分跳频的方案。此方案是采用DSP和DDS来实现的。文中讨论了方案的技术关键、高速差分跳频的硬件结构和软件设计。 相似文献
4.
该文用NMR方法研究暗霉素T的化学结构.从1D谱和几种2D技术确认了暗霉素T是氨基糖苷类化合物.讨论了化合物的构型,并通过改变溶剂推断了氨基的连接位置. 相似文献
5.
证明了在扩大的非标准模型中S-空间可完全表示Radon空间并讨论了S-空间的若干性质.还给出一个有限Borel测度空间为Radon空间的充要条件.最后证明了Radon空间的一个*-有限表示定理. 相似文献
6.
7.
通过问卷调查得出学生学习高中物理的兴趣等级,再计算兴趣等级水平与物理学习成绩的相关系数。结果表明:物理学习兴趣与物理学习成绩的相关系数在0.73左右,有约45%的高中学生物理成绩明显地受物理学习兴趣的影响,物理兴趣教学是提高物理教学质量和教学效率的有效途径。 相似文献
8.
TMN是现代化电信网络必不可少的支撑网 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从网络技术发展角度阐述了电信管理网络产生的必然性及基本概念,并在基础上介绍了TMN的建立步骤,标准及TMN对技术环境的要求。 相似文献
9.
10.
常规双极晶体管在77K下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Gummel数,基区方块电阻,渡越时间和穿通电压等参数与温度及基区掺杂的关系,然后讨论了低温双极器件基区的优化设计问题。 相似文献