RFID在音圈振膜自动化生产线中的应用

本文针对音圈振膜自动化生产线所选用的RFID系统进行了软硬件设计,详细介绍了V680系列的RFID系统。并在Sysmac Studio编程软件中对其进行通信测试,最后对上游工位下来的载体进行数据采集并将采集到的数据嵌入到本工作站实现相应的动作。     

掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质

用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光强度的影响,发现当退火温度选取800℃时可最大程度减少材料中的晶格损伤和缺陷等非辐射衰减中心,同时光激活Er离子,从而实现最大强度的光致发光.通过对样品光致发光激发(PLE)的测量分析发现,在Er离子的发光过程中除了直接吸收的过程之外还存在着间接激发的过程.HfO2将会成为Er掺杂的一种很好的基质材料.     

V680S与PLC之间通信协议的研究

V680S主设备采用的通信协议是基于Modbus/TCP协议,以以太网为接口与PLC之间进行通信。本文针对音圈振膜生产线中所采用的V680S系列的RFID通信问题进行了测试。首先介绍了V680S与PLC之间的硬件构架,然后对其采用的Modbus/TCP协议进行了介绍,并介绍了Modbus/TCP协议在V680S中的使用。最后通过Sysmac Studio软件实现V680S与PLC之间的通信测试得出实验结果。     

掺铒Si/Al2O3多层结构中结晶形态对1.54 μm发光的影响

利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒 Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54 μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600-1000 ℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er3+在1.54 μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600-700 ℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er3+发光的化学环境得到了优化.进一步,光致发光瞬态衰减谱研究表明,当纳米Si尺寸小时,衰减遵循单指数模式(慢过程),当纳米Si尺寸大时,衰减遵循双指数模式(快过程和慢过程),其中衰减中快过程来自类体Si的对激发态Er3+去激发过程,慢过程对应典型的纳米Si体系衰减过程.     

掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质

用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光强度的影响,发现当退火温度选取800℃时可最大程度减少材料中的晶格损伤和缺陷等非辐射衰减中心,同时光激活Er离子,从而实现最大强度的光致发光.通过对样品光致发光激发(PLE)的测量分析发现,在Er离子的发光过程中除了直接吸收的过程之外还存在着间接激发的过程.HfO2将会成为Er掺杂的一种很好的基质材料.     

掺铒Si/Al2O3多层结构中结晶形态对1.54 μm发光的影响

利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒 Si/Al₂O₃多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er³⁺在1.54 μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下（600—1000 ℃）纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er³⁺在1.54 μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600—700 ℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er^{3+ 关键词： 铒 纳米硅 能量转移 氧化铝}     

基于Mask R-CNN的电力关键设备载波运行状态检测

为解决因载波信号大幅波动造成的电力设备运行状态检测失准问题,提出基于Mask R-CNN的电力关键设备载波运行状态检测方法。在Mask R-CNN网络模型中,通过定义小波基向量的方法确定电力载波暂态系数的计算结果。联合电量阻抗特征,求解连续阈值区间表达式,将获取到的电力载波信号放置在已定义阈值区间内。计算奇异值检测系数的取值条件,完成电力关键设备载波运行状态检测。对比实验结果表明,所提方法可以将电力载波信号波动幅值控制在±17 dB之间,对载波信号波动行为起到了明显的抑制作用,能够提升电网主机对电力设备运行状态检测的准确性。