温控晶闸管导通温度的设计

本文从温控晶闸管结构模型出发,建立一组相应的方程,获得了温控晶闸管导通温度与离子注入剂量的关系。通过精确控制离子注入剂量,器件可以获得预期的导通温度。     

开路p－n结对近邻光电二极管特性的影响

对ｐ－ｎ结邻近有大面积受光开路ｐ－ｎ结的光电特性进行了理论和实验分析。结果表明，这种结构不能改善光敏器件的灵敏度和探测率，而且由于大面积受光开路ｐ－ｎ结的存在，器件的灵敏度和探测率比相同面的单个ｐ－ｎ结小。     

集成电路芯片显微照相的新技术

本文为解剖半导体器件的人员提供一种新的简便有效的芯片显微照相技术,介绍了该技术的基本原理及实验方法。     

光电探测器光谱响应实验中值得注意的一个问题

在《普通物理实验教学大纲》和《近代物理实验教学大纲》中,都列有关于光电探测器的实验项目(题目是《光电探测器特性》和《光电探测器的光谱响应曲线》)。这反映了光电子器件近年来的迅速发展及其在科学技术中日益增长的重要性。 光谱响应曲线是光电探测器的重要特性之一。用来进行这一实验的器件有真空光电管、光电倍增管、光电导管(光敏电阻)、半导体光电二极管、光电池、光敏晶体管、辐射热电偶堆等等。实验的基本原理是,对一定波长为人的光,光电流的强度I(λ)与单色辐射通量Φ(λ)成正比,即:用单色辐射通量Φ(λ)除所产生的光电流强度…     

光电晶体管时间响应的改善

本文从电路结构出发,对改善光电晶体管的时间响应作一分析,介绍一种时间响应短、灵敏度高、输出幅度大、工作稳定的应用电路。 光电晶体管可以大致等效于一个光电二极管和一个普通晶体管的bc结并联,并联的光电二极管特性等同于bc结,如图1所示。所以对于一个确定的光电晶体管,对信号的时间响应与采用的电路结构有很大的关系。     

注入光敏器件的探讨

对注入光敏器件进行了分析，所得结果与注入光敏器件理论和器件设计的期望目标是相反的，并对产生这种结果的原因进行了讨论。认为开路受光大ｐ－ｎ结并没有改善器件光电探测的灵敏度和探测率，其原因是开路ｐ－ｎ结“注入电流”被抽取的机理难以实现。     

雪崩光电二极管体内漏电流的测量分析

体内漏电流是雪崩光电二极管应用的一个重要参数,而一般测量暗电流的方法无法把表面漏电流和体内漏电流分开.本文提出一种测量雪崩光电二极管体内漏电流的方法,推导有关公式,并对宽耗尽层雪崩光电二极管的体内漏电流进行测量分析.     

开路p－n结对近邻光电二极管特性的影响

对ｐ－ｎ结邻近有大面积受光开路ｐ－ｎ结的光电特性进行了理论和实验分析。结果表明，这种结构不能改善光敏器件的灵敏度和探测率，而且由于大面积受光开路ｐ－ｎ结的存在，器件的灵敏度和探测率比相同面的单个ｐ－ｎ结小。     

光敏三极管光电特性

给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型，在一维条件下得到理想光敏三极管的电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系式。这些公式比较全面地描述了器件的基本特性，可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。利用所得方程计算光敏三极管在不同工作状态下光电流的计算结果与实验值符合较好。同时，利用所得结果对近年报道的“注入光敏器件”进行了分析讨论，指出“注入光敏器件”是光敏三极管诸多工作状态中的一种，且这种工作方式的器件的灵敏     

对"四论注入光敏器件的物理基础"一文的商榷

利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。