TFT-LCD白点不良机理研究及改善

TFT基板四道掩膜版工艺可提升产能,但其带来的产品品质困扰着各工厂,白点不良即为四道掩膜版工艺产生.本文通过直流实验探究了白点产生的原因;采用光照实验和高温实验,研究了白点产生的机理,同时利用工艺调整来改善白点不良.结果表明,有源层膜质存在异常,其导电性不同导致了反冲电压(ΔVp)的差异,最佳公共电压的不同形成白点不良...     

大尺寸高分辨率TFT-LCD垂直串扰的机理研究与改善

随着生活质量的提升,大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器件越来越受到人们的青睐。然而,高规格产品同时也会伴随更多的显示问题,垂直串扰就是其中一种。垂直串扰产生原因主要是由于数据线与像素电极之间的耦合电容C_pd以及薄膜晶体管(TFT)关闭时的漏电流I_off使像素电压发生偏移。高分辨率8 K产品由于其存储电容大幅减小、布线密集程度增大,导致其垂直串扰现象严重。本文通过软件模拟了C_pd的影响因子,再结合不同像素电极2ITO交叠面积样品的反置现象确定C_pd的影响程度,同时通过改变各项工艺参数确定最佳存储电容及漏电流条件,最后在最佳存储电容及漏电流条件下探讨与之匹配的2ITO交叠面积。在所有最优工艺条件下,不良比率由最初的55.6%下降至4.2%,画质大幅改善。