台湾日月光半导体制造公司公布2002年第1季度销售额

<正> 把可靠资料报道,Advanced Semiconductor Manufacturing(ASE:日月半导体制造)公司公布了2002年第1季度的销售额情况。 由上述情况得知,第1季度与前期相比减少了2％,与上一年同期相比则减少了11％,约为100亿台币(约合2亿8仟7佰万美元)。但是,从净亏损方面来看,相对于前期的11亿台币(约3仟2百万美元),本期     

16M 低功耗SRAM

<正> 据《Semiconductor World》2002年 Vol.21,No.24上报道,日立制作所推出了存取时间为25ns 的16Mb低功耗 SRAM[HM62V16102I]、[HM62A16102I]系列产品。该系列产品是首批采用0.13μm 工艺的产品,     

0.4～0.25μm时代的栅氧化膜形成技术

<正> 1 前言对于 MOS 晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm 工艺技术的64MDRAM 中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM 中则要减薄到8nm。对于高性能 CMOS 逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM 还要早一个时代,对于0.25μm 工艺来说,则要求使用6nm 这样极薄的氧化膜。为了降低热载流子对可靠性的影响,电源电压将从5V 调得更低一些,各类栅氧化膜大体上都会附加一定的电场。但是,对于高集成化来说,由于芯片面积的增大,也就是说,伴随栅面积的增大而如果     

NEC公司研制成小型激光焊接装置

据《电子材料》（日文）1996年第1期报道，NEC公司业已开发出一种小型的激光焊接装置M800A，现已开始进行订货。本产品在平均输出为80W的范围内，在其脉冲宽度、峰值输出、重复频率等焊接条件上可以自由选择的同时，通过采用独特的能量控制方式，可以控制激光脉冲波形，并可在通常情况下采用最佳条件进行加工。其主要特点如下：①分割比精度（2．3分割时）在上3％或更高精度，焊接稳定性提高，②一次装卸可采见光纤，另外，光纤交换时可不调整就开始工作，＠与原来机种M801B相比，在容积上其比值为1／2．5，从而实现了小型化。NEC公司…     

600MHz工作的DSP

<正> 得克萨斯仪器公司开发出了具有高速处理能力的3种 DSP 核(C64X)。新产品采用了0.12μm 的 Cu 布线技术,最大工作速度为600MHz,与目前现有的 DSP 相比较,在处理能力上,它是用于通信设备现有 DSP 处理能力的10倍。是用于图象处理/视频图像的15倍。另外,由于功耗减少了1/3,因而沟道密度可以达到最佳化。本产品可用于下一代携带电话用的基地电台和通信设备、图象处理设备等。     

台湾地区的半导体产品上市量10年间增加4倍

据《SemiconductorWorld》1995年第12期上报道，在10年期间，台湾地区的半导体工业发展相当迅速，上市量增加4倍。进入90年代，台湾地区的半导体工业发展更快，目前，在台湾地区的新竹工业园区，相继建成20cm的生产线。在此10年之间，半导体产品的发货量也在急剧增长。1986年为17．6614亿个，252．43亿美元（纯利润），1994年达到76．35965亿个，约1155．65亿美元，数量和金额同时增长江倍以上。台湾地区的半导体产品上市量10年间增加4倍@益国     

台湾UMC在新加坡建设φ300mm工厂

<正> 台湾 UMC 决定在新加坡建设300mm 圆片工厂,该工厂将作为 UMC 在新加坡的子公司。德国的 Infin-eon Technologies 公司作为股东参与合资。最大的生产能力为4万片/月。UMC 和 Infineon 公司,将使用美国IBM 公司共同开发的 Cu 布线和低介电常数绝缘膜的0.13μm、0.1μm 工艺进行制造。开工时间为2001年第1季度,设备安装为2002年第3季度。     

NEC公司开始出售数字、模拟混合ASIC

据《电子材料》1996年第9期上报道，最近，NEC公司为了适应数字、模拟混合电路的定制LSI化，采用0．6μm工艺技术，制造出了数字、模拟混合ASIC（MA－8族μpD6800系列），该系列产品已开始在市场上销售。笔者认为，在今后飞速增长的多媒体产品市场中，诸如通信和音响、图像处理     

TSMC和VIA发表0.13μm处理机

<正> 据有关资料报道,具有加工线企业的 TSMC 和无制造线的半导体设计企业 VIA 技术公司合作上市0.13μm 硅圆片。同时,VIA 公司已经在本公司第2代 VIA Cyrix 中引进这种新工艺。新 VIA Cyrix 工艺采用了 TSMC 的0.13μm CL013 LV 工艺,大幅度地提高了处理机的设计性能和功