矩阵方程AXB=D的最小二乘Hermite解及其加权最佳逼近

本中,我们讨论了矩阵方程AXB=D的最小二乘Hermite解,通过运用广义奇异值分解(GSVD)，获得了解的通式。此外,对于给定矩阵F，也得到了它的加权最佳逼近表达式。     

迅速发展中的蜂窝移动通信技术

蜂窝技术是移动通信中最重要的技术之一。本文通过对模拟蜂窝移动电话系统、数字蜂窝移动通信系统、码分多址数字蜂窝移动通信系统以及第三代移动通信系统发展过程的介绍和技术特性的比较，对未来全球移动通信的发展趋势以及市场进行了预测和展望。     

高中代数综合题例解

例1 当实数k取什么值时,函数f(x)=(kx 7/kx~2 4kx 3)-log_(1/3)((1/4)x~2-2~(1/2)-5k 3)的定义域是实数集R。分析:要使f(x)的定义域是R,只需kx~2 4kx 3≠0,且(1/4)x~2-2~(1/2)kx-5k 3>0对任意实数x成立。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

用DSP56F80x实现三相SPWM波形发生器

文章介绍了SPWM控制的基本原理及用DSP56F80x生成三相SPWM波形的软件设计 ,最后用PCMaster观察变量波形。     

EL34 AB类推挽放大器与UL接法推挽放大器的比较

一、EL34 AB类推挽放大器EL34 AB类放大器电路原理如图1所示。它与B类工作时的电路结构完全相同。输出级的栅极偏置电压-24.6V时,屏极电流64mA,帘栅极电流8.3mA。屏极电压374V时,其功耗为24W;帘栅极电压360V时,其功耗为3W。EL34的屏极额定功耗为25W;帘栅极为8W,说明该放大器实际功耗低于极限功耗。     

一种新的T型栅加工技术

研制出的ＰＨＥＭＴ采用一种新的０．１μｍＴ型栅制备方法，将薄膜纵向可控变为横向可控，应用这一原理，对时间等参量进行控制，获得０．１～０．３μｍ微细金属栅条，此工艺应用于３ｍｍ器件研制，器件的直流跨导大于４００ｍＳ／ｍｍ，微波性能在４０ＧＨｚ时，Ｇｍａｘ达５．６７ｄＢ。特征频率ｆＴ可外推至７４ＧＨｚ，最高振荡频率ｆｍａｘ可达１３０ＧＨｚ。     

双向电力线网报警通信系统的研制

本文根据主控机，前置机和终端机构成的分布式微机自动报警系统，分析其中的通信系统。具体阐述了利用电力线传输报警信号的可行性，以及实现前置机与终端机之间双向通信的机理，并且还介绍了软，硬件相结合进行调制解调的方法和系统的自动复位技术。