NaⅨ离子电子碰撞激发速率系数

本文是在对屏蔽常数的计算作了改正后的Z标度类氢模型下,计算了NaⅠⅩ的电子碰撞激发的速率系数。     

相干叠加态高次谐波发射的时间行为分析

本文研究了一维模型分子离子(初态为基态和一个激发束缚态叠加的相干态)在超强超短激光脉冲作用下的谐波发射谱.我们发现在高次谐波谱平台区域出现了周期性的结构变化.我们利用小波变换对谐波谱进行了暂态时间频率分析,结果表明该谐波结构产生的原因是由电离电子返回母离子时与不同束缚态复合而产生的谐波光脉冲之间相干叠加.同时采用半经典计算,对所得到的计算结果进行了分析,验证了我们的结论.     

高中代数综合题例解

例1 当实数k取什么值时,函数f(x)=(kx 7/kx~2 4kx 3)-log_(1/3)((1/4)x~2-2~(1/2)-5k 3)的定义域是实数集R。分析:要使f(x)的定义域是R,只需kx~2 4kx 3≠0,且(1/4)x~2-2~(1/2)kx-5k 3>0对任意实数x成立。     

存储器闪存领域展开低成本竞争通过集成ECC提高可靠性成为潮流

在成本竞争激烈的闪存领域，所发布的主要内容为使用多值技术、提高了集成度的数据存储用存储器。在DRAM和SRAM领域，发布的内容主要集中在高速化方面。在所有存储器中，片式ECC电路成为了此次会议的亮点。存储器的种类不同，使用ECC电路的目的也不同，ECC电路主要被应用于提高可靠性及数据的传输速率、降低待机时的消耗电流等方面。     

用DSP56F80x实现三相SPWM波形发生器

文章介绍了SPWM控制的基本原理及用DSP56F80x生成三相SPWM波形的软件设计 ,最后用PCMaster观察变量波形。     

EL34 AB类推挽放大器与UL接法推挽放大器的比较

一、EL34 AB类推挽放大器EL34 AB类放大器电路原理如图1所示。它与B类工作时的电路结构完全相同。输出级的栅极偏置电压-24.6V时,屏极电流64mA,帘栅极电流8.3mA。屏极电压374V时,其功耗为24W;帘栅极电压360V时,其功耗为3W。EL34的屏极额定功耗为25W;帘栅极为8W,说明该放大器实际功耗低于极限功耗。     

改进的本征态展开方法求解含时薛定谔方程

本改进了原有的本征态展开方法。通过从能量E到q=（2E）的平方根的表象变换，不仅准确地计算了在此方法中起重要作用的低能电子布居，而且大幅度地减少了计算时间。利用这个高效的方法，我们计算了在强激光作用下一个模型原子的高次谐波发射谱。