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一、EL34 AB类推挽放大器EL34 AB类放大器电路原理如图1所示。它与B类工作时的电路结构完全相同。输出级的栅极偏置电压-24.6V时,屏极电流64mA,帘栅极电流8.3mA。屏极电压374V时,其功耗为24W;帘栅极电压360V时,其功耗为3W。EL34的屏极额定功耗为25W;帘栅极为8W,说明该放大器实际功耗低于极限功耗。 相似文献
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研制出的PHEMT采用一种新的0.1μmT型栅制备方法,将薄膜纵向可控变为横向可控,应用这一原理,对时间等参量进行控制,获得0.1~0.3μm微细金属栅条,此工艺应用于3mm器件研制,器件的直流跨导大于400mS/mm,微波性能在40GHz时,Gmax达5.67dB。特征频率fT可外推至74GHz,最高振荡频率fmax可达130GHz。 相似文献
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本文根据主控机,前置机和终端机构成的分布式微机自动报警系统,分析其中的通信系统。具体阐述了利用电力线传输报警信号的可行性,以及实现前置机与终端机之间双向通信的机理,并且还介绍了软,硬件相结合进行调制解调的方法和系统的自动复位技术。 相似文献
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Moessbauer studies on the effect of substitution with 3% Al, Co, Mn atoms in the intermetallic compound of Hf0.8Ta0.2Fe2 are reported. The Al substitution leads to increase of the FM-AFM transition temperature and to decrease of the AFM-PM transition temperature. The Co substitution leads to disappearance of the FM state, only showing some FM impurity component, while Mn substituted compound indicates coexistence of FM and AFM states at low temperature. The phenomena imply complex itinerant electron properties in these magnetic systems. 相似文献
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