超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响

为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度，通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。     

浅水中污染物扩散的自适应有限元分析法

介绍浅水中污染物扩散分析中的有限元法.分析包括两个部分:1)流场速度、水面高度的计算;2)根据扩散模型计算污染物浓度场.联合使用了自适应网格技术以期提高解的精度,同时减少计算时间和计算机内存的消耗.通过几个有已知解的实例验证了有限元公式和计算机程序.最后,使用这种联合方法分析泰国Chao Phraya河附近海湾中的污染物扩散.     

美国远景研究计划局发展抗激光材料

美国远景研究计划局准备研究能够防止脉冲激光破坏的航空结构材料。这是一种合成的阻隔保护材料，它可以减轻苏联在九十年代发展的高能脉冲激光武器对美国飞行器的破坏。     

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。     

毛细管电泳安培检测法在中草药分析中的应用

由于毛细管电泳安培检测法(CE-AD)具有高的分离效率和低的检测限的优势,现已在分析科学的各个领域,特别是在药物行业中得到广泛应用。中草药的研究在我国医药事业中占有重要的地位,采用CE-AD分离并检测中草药中有效成分对于促进中草药的药理药效研究及中草药的定量分析和质量监测等有重要意义。本文综述了CE-AD在中草药及中药复方制剂中有效成分分析中的应用,评述了该法与其他分离分析方法相比在中草药分析中的优越性,并对CE-AD在中草药分析中的发展进行了展望。     

乙酰化淀粉/DL-丙交酯接枝共聚物的合成及降解性能研究

用醋酸乙烯酯和玉米淀粉反应制备出了不同取代度乙酰化淀粉，再用乙酰化淀粉同DL－丙交酯接枝共聚合成乙酰化淀粉／DL－丙交酯接枝共聚物。研究了原料配比，淀粉取代度对接枝反应单体转化率（C％），接枝率（G％）接枝效率（GE％）和接枝支链数均分子量（Mn)的影响，结果表明在给定的试验条件下接枝共聚反应的C％，G％，GE％和Mn可分别达到40％，225％，80％和1．4万。接枝共聚物在磷酸缓冲溶液和户外土壤掩埋降解实验表明，在160天内样品失重率分别为71％和60％，表明合成的乙酰化淀粉／DL－丙交酯接枝共聚物具有很好的降解性能。     

镧系元素杂多钼磷酸钾的合成与性质研究

本文首次报道了K_(17)[Ln(P_2Mo_(17)O_(61))_2]·xH_2O(Ln=La~(3+),Ce~(3+),pr~(3+),Nd~(3+),Sm~(3+),Eu~(3+),Gd~(3+),Tb~(3+),Yb~(3+))的合成方法,取测定结果表明,与(?)系离子配位的配体P_2Mo_(17)O♂♀~-为α_2-型,Ln的配位数为8,推测其结构类似于K_(16)[Ce(Ⅳ)(α_2-P_2W_(17)O_(61))_2]·xH_2O,还进行了UV光谱、CV、极谱、TG-DTA及磁化率等性质的研究。