混合式红外焦平面用对焊机的研制

对焊工艺是制备混合红外焦平面器件的关键工艺。本文介绍了我们根据对焊工艺要求自行研制的 HDD-1型红外对焊机的原理、性能及测试方法,并给出了该机在红外焦平面列阵对焊工艺中的试用结果。     

InSb混合红外焦平面工艺研究

InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。     

红外倒焊机的结构和改进

对准倒焊机是制备混合红外焦平面阵列（ＨＩＲＦＰＡ）所必需的设备。ＨＤＤ－１型红外倒焊机是国内第一台自行研制的光机电仪器。叙述了本仪器的原理、特性和在ＨＩＲＦＰＡ中的应用，讨论了该仪器的对准精度，提出了采用自动校准器改进上、下两个焊接面找平的实施方法。     

室温工作的低成本氧化钒红外焦平面器件

文章给出了氧化钒焦平面器件的基本工作原理、设计思想、关键工艺、应用前景、现在已经达到和将来可能达到的性能指标，指出本器件是军用两用的低成本器件。     

80—500°K间InSb的电导率、霍尔效应及磁阻效应

文中报导了80—500°K间n型及p型InSb的电导率、霍尔系数及磁阻效应的测量,所用样品的杂质含量(补偿后)为4×10¹³—7×10¹⁷cm^-3。由结果的分析得出InSb的本征载流子浓度、禁带宽度及电子迁移率等数值,讨论了电子的散射机构以及强磁场下磁阻与磁场强度成一次方正比关系的可能原因。     

串扫2×12元混合红外电荷耦合器件

采用串扫红外系统,探测器列阵与扫描方向平行,每一探测器都要扫描同一视场像元,整个线列的工作不产生固定图案噪声,降低了对探测器均匀性的要求。可解决热成像系统中存在的高背景、低对比度问题。     

混合红外焦平面倒装焊工艺模拟实验

运用蒸Al、镀In、光刻技术,在InSb、HgCdTe和Si片上制成雨维In柱电极,完成两维列阵模拟互连工艺。     

1×12元InSb混合红外CCD器件性能参数讨论

本文主要介绍一种采用时间延迟积分模式的硅CCD和1×12元InSb红外探测器互连而成的器件,并就如何提高其探测率进行了讨论。