聚合物栅绝缘层厚度对并五苯有机场效应管性能的影响

采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为栅绝缘层,制备了并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测量了不同厚度的PMMA的介电特性,并详细分析了栅绝缘层厚度对器件性能的影响。其中,采用260nm厚的PMMA栅绝缘层的OFET具有比采用其它厚度的器件更优越的性能,其场效应迁移率、阈值电压与开关电流比分别达到3.39×10-3 cm2/Vs、-19V和103。     

8-羟基喹啉铝作为修饰层对C60有机场效应管性能影响的研究

采用真空蒸镀技术制备了以喹啉铝(tris(8-hydroxyquinoline) aluminum, Alq3)作为修饰层的C60有机场效应管器件,并研究了修饰层的厚度对于器件性能的影响。实验表明,随着Alq3修饰层厚度的增加,器件的性能参数得到改进。当Alq3修饰层厚度为10nm时,器件场效应的迁移率达到最大值,为1.2810-2cm2/Vs,阈值电压也下降到了10V。分析了缓冲层使器件性能提高的主要原因可能有两个：一个是可以阻止金属原子扩散进入C60有机层,另一个是使Al/C60界面间的沟道电阻降低。     

Enhanced performance of C60 organic field effect transistors using a tris(8-hydroxyquinoline) aluminum buffer layer

We have investigated the properties of C60-based organic field effect transistors（OFETs） with a tris（8- hydroxyquinoline） aluminum（Alq3） buffer layer inserted between the source/drain electrodes and the active material. The electrical characteristics of OFETs are improved with the insertion of Alq3 film.The peak field effect mobility is increased to 1.28×10^-2 cm²/（V·s） and the threshold voltage is decreased to 10 V when the thickness of the Alq3 is 10 nm.The reason for the improved performance of the devices is probably due to the prevention of metal atoms diffusing into the C60 active layer and the reduction of the channel resistance in Alq3 films.     

Optimization of GaAs-based 940 nm infrared light emitting diode with dual-junction design

Epitaxial growths of the GaAs/AlGaAs-based 940 nm infrared light emitting diodes (LEDs) with dual junctions were carried out by using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) with different doping concentrations and Al contents in AlxGa1-xAs compound. And their optoelectric properties show that the optimal design for tunneling region corresponds to P++ layer with hole concentration up to 1×1020 cm-3, N++ layer electron concentration up to 5×1019 cm-3 and constituent Al0.2Ga0.8As in the tunneling junction region. The optimized dual-junction LED has a forward bias of 2.93 V at an injection current of 50 mA, and its output power is 24.5 mW, which is 104% larger than that of the single junction (12 mW). Furthermore, the optimized device keeps the same spectral characteristics without introducing excessive voltage droop.     

C60场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究

以重掺杂Si片作为衬底,SiOe／聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为双栅绝缘层,C60为有源层,制备了不同修饰层的有机场效应晶体管（OFETs）;研究了不同修饰层的器件对于场效应性能的影响。实验表明,与未加修饰层的器件相比,经过修饰的器件性能有一定的提高,其中Alqa／LiF双修饰层器件的场效应迁移率达到最大,为1．6×1...     

基于非局部自相似性的双相机压缩光谱图像重建算法

针对压缩光谱成像的图像重建问题,提出了一种基于非局部稀疏表示与双相机系统的压缩光谱重建方法。首先,利用RGB观测来构建一种三维图像块,使用K均值聚类对图像块进行分类,并以聚类结果来指导目标高光谱图像的光谱块分类,通过主成分分析获取每个簇的特征用来稀疏表示其他光谱块。然后用构建的三维图像块估计目标光谱图像非局部相似性,并构建目标函数。最后,通过迭代收缩算法与共轭梯度下降法来交替优化目标函数完成重建。仿真和实拍结果表明,所提方法能大幅提升重建质量与精度,在空间和光谱维度上重建误差更小,RGB观测辅助字典学习与相似块估计的方法能有效提升双相机系统的计算效率。     

电力信息通信设备远程重启装置的研制

随着我国经济的快速发展,为电力信息通信设备发展提供了强有力的外部支持,文章就电力系统的安全控制及自动化设备进行论述,旨在为实现电力信息通信设备远程重启提供参考。维保经验表明,解决通信管理机死机故障的最有效方法就是重启,但是该方法排除故障效率较低,因维修人员未及时进入现场极有可能延误最佳维修时机,在通道信号故障期间极易出现设备事故。为了解决这一难题,需要科研人员在电力信息监控系统电源装置上安装远程重启装置,当出现故障后,重启装置立即工作,恢复电力通信管理机运行,实现无人重启和通道信号传输,避免出现供电设备无人监控的情况。     

V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响

制备了用过渡金属氧化物V₂O₅修饰Al源、漏电极的C₆₀/Pentacene双层异质结有机场效应管.该构型器件与未修饰器件相比,呈现出典型的双极型晶体管传输特性.电子迁移率和空穴迁移率分别达到8.6×10^-2cm²/V·s^-1和6.4×10^-2cm²/V·s^-1,阈值电压分别为25 V和-25 V.器件性能改善的原因主要是由于插入V₂O₅修饰层后,可以明显降低Al电极与Pentacene之间的接触势垒,提高空穴的有效注入,从而使电子和空穴的注入接近平衡.研究表明,采用V₂O₅修饰电极方法,是制备低成本、高性能的双极型有机场效应管并实现其商业应用的有效途径.