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基于MCU的CPLD/FPGA配置 总被引:1,自引:0,他引:1
以PowerPC860为例,结合CPLD/FPGA的一般配置方法,从基本原理、硬件设计、软件操作等几个方面较详细地论述了如何利用MCU配置CPLD/FPGA芯片。给出了PS配置时序、配置电路的硬件连接、配置操作过程和CPU源程序。文末总结了该方法的优点。 相似文献
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测试像增强器荧光屏的亮度均匀性,需要能够发射均匀电子的面源电子枪,设计面源电子枪要对灯丝各点发射的电子数量、电场分布、电子轨迹,以及均匀电子垂直轰击荧光屏几个方面进行理论分析和计算。指出在真空系统中面源电子枪灯丝的热均匀性是使灯丝各点发射的电子数量相等的先决条件,也是灯丝造型设计首先要解决的问题。在真空系统中,热辐射是影响面源电子枪灯丝各点温度的主要因素。参考相关资料,对热辐射均匀性进行了理论分析,推导出3种几何形状的热辐射公式;通过计算和比较,得出了锥状螺旋灯丝的热平衡较好的结论,为下一步电场分析和电子轨迹分析做好了准备。 相似文献
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随着现代社会信息的大爆炸,人们相互联系时需要的个人信息资料更加详细,信息资料的管理也就成为一件非常重要也非常烦琐的事情。目前比较好的做法是将各位联系人的电话号码等资料保存在电脑里,通过电脑软件如outlook与手机或PDA等移动工具同步,可将电脑与手机或PDA中的大量信息 相似文献
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利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势(NEA)特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极激活机理.实验表明:GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.
关键词:
负电子亲和势
GaN
激活
光电流 相似文献
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多环境试验条件下的微光枪瞄检测技术一直是军备生产所关注的问题。由于在振动、射击、冲击、跌落和高低温环境等载荷作用下,微光枪瞄机械、光学和电性能结构及参数会发生改变,致使微光枪瞄不能正常工作和使用,所以设计了多环境试验条件下的微光枪瞄检测与测试系统。对测试系统的光路进行了规划,即对被检查对象(微光枪瞄)的安装要求是微光枪瞄的物镜应置于平行光管出射光口的“较近处”。给出了由CCD组成检测系统的工作原理,分析了系统成像的详细过程。通过对平行光管和CCD变焦镜焦距计算,并结合实际工程应用,使该检测系统的测量精度(≤0.05密位)和测量范围(≥40密位)均满足了项目使用要求。 相似文献
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