部分还原氧化石墨烯的制备、 表征及对人宫颈癌HeLa细胞的体外杀伤作用

以氧化石墨烯(GO)为原料, 利用温和方法制备了3种不同还原程度的部分还原氧化石墨烯pRGO₁, pRGO₂和pRGO₃(pRGO_1—3)； 利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 拉曼光谱(Raman)、 X 射线光电子能谱(XPS)、 紫外-可见光谱(UV-Vis)、 透射电子显微镜(TEM)和 EDS能谱对其结构和形貌进行了表征. 细胞实验结果表明, 无激光照射下pRGO_1—3本身的细胞毒性较低; 近红外(NIR)激光照射下pRGO_1—3通过光热和光毒性双重作用杀伤肿瘤细胞. 实验结果显示了pRGO 在肿瘤光热疗法和光动力疗法领域的应用潜力.     

Hollow Fe4C/FeP Nanoboxes with Heterostructure and Carbon Armor for Efficient and Stable Hydrogen Evolution

The heterojunction interfacial modulation of FeP is an effective strategy to regulate the intrinsic activity and stability, which is a major challenge to promote the industrial application of FeP-based electrocatalysts. Herein, hollow Fe₄C/FeP box with heterojunction interface and carbon armor is successfully synthesized, which can expose numerous active sites and protect catalyst from corrosion. Electrochemical measurements show that Fe₄C/FeP exhibits excellent hydrogen ev...     

基于完全互补码波形的非零多普勒目标检测

本文将完全互补码(Complete Complementary Code, CCC)应用于多输入多输出(Multiple Input Multiple Output, MIMO)雷达目标探测中，针对具有非零多普勒的多目标检测问题，提出一种基于广义普洛黑-修-莫尔斯(Generalized Prouhet-Thue-Morse, GPTM)序列和二项式系数加权的信号处理方法。该方法分别在发射端和接收端进行处理，在发射端采用GPTM序列设计方法调整脉冲的发射顺序，以降低由多普勒引起的距离旁瓣；在接收端通过二项式设计(Binomial Design, BD)方法为各接收脉冲加上不同权重，扩大目标多普勒附近的清洁区。为综合上述两次处理的优势，将两次处理得到的距离多普勒谱进行逐点最小化处理，得到最终的距离多普勒谱，然后进行有序恒虚警检测。仿真结果表明，本文所提的信号处理方法具有良好的旁瓣抑制效果和多普勒分辨率，能够有效检测出非零多普勒目标。     

一种基于期望信号预减除的稳健自适应波束形成方法

针对自适应波束形成中的期望信号自消除问题,提出一种干扰加噪声协方差矩阵重建稳健自适应波束形成方法。算法具有较低的计算时间复杂度。该方法首先使用波达方向估计技术得到期望信号的波达方向,其次对每两根相邻天线的接收信号进行特定的加权相减,能够减除阵列信号中的期望信号成分,继而得到不含期望信号且保留了干扰加和噪声的更新阵列信号,再次,使用更新阵列信号计算干扰加噪声协方差矩阵,最后计算得到加权矢量。理论分析给出了减除期望信号过程的原理和算法的复杂度,仿真结果表明,在16阵元情况下,所提算法的输出信干噪比(Signal to Interference plus Noise Ratio,SINR)性能比最优值低0.52 dB,因自由度损失造成的性能损失小于0.3 dB,综合性能优于其他对比的方法。     

基于CiteSpace的智慧教室应用状况分析

阐述利用Cite Space软件对国内智慧教室应用相关研究的文献从发文量、发文机构、研究作者、研究热点进行统计分析,并绘制相应的知识图谱,分析在智慧教室研究的热点及发展前景。     

计算机技术应用的现状与展望

阐述计算机技术应用的现状和展望，包括计算机系统的智能化、网络化、大众化、微型化、光子计算机的发展趋势，探讨计算机和互联网监控系统的应用。     

智能化电子信息技术发展及应用分析

文章首先对智能化电子信息技术进行了深入的研究,而后分析了该技术在应用过程中出现的问题,最后结合该技术的相关特点给出了相应的问题解决措施,希望能够对智能化电子信息技术的发展提供帮助。     

An Improved Parasitic Parameter Extraction Method for InP HEMT

An improved parasitic parameter extraction method for InP high electron mobil-ity transistor(HEMT)is presented.Parasitic parameter extraction is the first step of model parameter extraction and its accuracy has a great impact on the subsequent internal pa-rameter extraction.It is necessary to accurately determine and effectively eliminate the parasitic effect,so as to avoid the error propagation to the internal circuit parameters.In this paper,in order to obtain higher accuracy of parasitic parameters,parasitic parameters are extracted based on traditional analytical method and optimization algorithm to obtain the best parasitic parameters.The validity of the proposed parasitic parameter extraction method is verified with excellent agreement between the measured and modeled S-param-eters up to 40 GHz for InP HEMT.In 0.1-40 GHz InP HEMT,the average relative error of the optimization algorithm is about 9%higher than that of the analysis method,which verifies the validity of the parasitic parameter extraction method.The extraction of parasit-ic parameters not only provides a foundation for the high-precision extraction of small sig-nal intrinsic parameters of HEMT devices,but also lays a foundation for the high-preci-sion extraction of equivalent circuit model parameters of large signal and noise signals of HEMT devices.