基于Encounter的低功耗时钟树综合研究

以基于Cadence CCOPT引擎设计时钟树为例,介绍了以降低时钟树功耗为主要目的,使用门控技术,以及选择合适缓冲器、反相器构建时钟树的方法。通过完成物理设计动态仿真和功耗分析的数据表明,在保证时序收敛的前提下,使用门控技术和选用不同缓冲器、反向器对整个时钟树的功耗及性能影响进行分析。实验结构表明,对使用门控技术芯片的功耗在不同的操作条件下,整个时钟树上的功耗节省约50%;适合使用缓冲器和方向器构建时钟树。同时,在使用达到相同驱动的能力缓冲器和反相器情况下,使用缓冲器的时钟树较使用反相器的时钟树节省30%。     

n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应

本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。     

基于i6000的信息通信资源申请系统的研究

为满足不同业务资源申请审批,实现业务标准化及信息化,不同业务流程网上流转和无纸化办公,需要对信息通信资源申请系统进行设计。当前申请系统是将申请流程定义为一个五元组制定资源申请指标,设置资源申请定时器,如果定时警报响起,则将申请直接驳回至缓存队列中,继续等待申请,迭代上述过程,完成对信息通信资源申请系统设计。但没有设定迭代需要达到的指标,导致申请流程循环性严重,申请效率低。为此,提出了一种基于i6000的信息通信资源申请系统设计方法。该方法首先对信息通信资源申请流程和申请系统构造进行设计,然后利用FCM算法得到信息通信资源数据的聚类中心,对信息通信资源数据进行划分,采用投票法完成对信息通信资源数据的聚类集成,利用流量预测算法对信息通信资源进行申请,依据静态和动态结合的宽带分配法完成信息通信资源共享,并引入记录因子对资源申请的分配情况进行记录,使资源申请系统自动对资源申请进行处理。实验结果证明,所提方法提高工作效率,实现工作量化和信息通信资源信息化管理。     

电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.     

电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

对用电子能量为1.7, 0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究. 对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1nm的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.     

基于云计算在电网数据防泄漏技术中的应用

电力营销经过多年的信息化发展,已经成立大量异构型应用系统,数据结构比较分散,主要有非结构化、结构化与半结构化。在大量异构型应用系统应用方面,企业主要通过电力"求索"搜索引擎技术、云计算与大数据等建立系统搜索功能,促进各项业务数据、功能统一检索,从而满足系统用户数据检索需求。其中电力"求索"搜索引擎技术是由分布式缓存、索引与检索技术组合而成,能够为系统用户提供分布式全文检索服务,有利于提高系统访问灵活性与高效性。在全文搜索过程中,可以利用信息检索技术、文本挖掘技术与自然语言处理技术等提高检索检查工作效率与准确性。相对于以往数据检索技术而言,搜索引擎技术能够满足不同规模数据检索需要,适用范围比较广泛。同时,搜索引擎检索技术能够满足大规模数据检索相应要求,在短时间内完成大规模数据检索工作,具有一定应用价值。     

电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.     

2μm激光探测器的设计和制备

通过分析2μm波长的差分吸收雷达(DIAL)用于测量大气气象参数和CO2分布等测量对激光探测器的技术要求,介绍了相应的2μm波长光电二极管探测器的技术指标.根据该指标进行了器件的材料、材料结构和器件结构设计.其外延材料采用了In1-xGaxAaxAsyP1-y系列结构.为了减小暗电流和噪声,器件结构借用InGaAs雪崩管的分离吸收区和倍增区结构,把PN结放在具有宽带隙的InAs1-yPy中,光吸收在窄带隙的In1-xGaxAs中.最后,简略介绍了该器件的制备工艺和技术.